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HL7831HG

产品描述Laser Diode, 785nm
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小448KB,共10页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HL7831HG概述

Laser Diode, 785nm

HL7831HG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
配置SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流0.08 A
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度60 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率5 mW
峰值波长785 nm
半导体材料GaAlAs
形状ROUND
尺寸1.6 mm
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流80 mA
Base Number Matches1

HL7831HG相似产品对比

HL7831HG HL7831G
描述 Laser Diode, 785nm Laser Diode, 785nm
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY, LOW NOISE HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
最大正向电流 0.08 A 0.08 A
JESD-609代码 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 1 1
最高工作温度 60 °C 60 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE
标称输出功率 5 mW 5 mW
峰值波长 785 nm 785 nm
半导体材料 GaAlAs GaAlAs
形状 ROUND ROUND
尺寸 1.6 mm 2 mm
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
最大阈值电流 80 mA 80 mA
Base Number Matches 1 1

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