Semiconductor
nh
SHE144PGH-(B)
High Efficiency LED Lamp
Features
•
•
•
•
•
•
•
Green colored transparency lens type
Ellipse type(X=4.6mm, Y=5.8mm)
Ultra luminosity
Flangeless package
High power LEDs
Oval shape
View Angle : 70˚ / 34˚
Application
•
Full color displays
•
Message boards
•
Variable message signs(VMS)
Outline Dimensions
4.6±
0.2
5.8
0.2
unit :
mm
7.7±
0.2
3.6±
0.5
0.5
22.0 MIN
1.0 MIN
2.54 NOM
PIN Connections
1.Anode
2.Cathode
KLE-3013-000
1
SHE144PGH-(B)
Absolute maximum ratings
Characteristic
Power Dissipation
Forward Current
*
1
Peak Forward Current
Reverse Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
155
40
65
4
-30∼85
-30∼100
Unit
mW
mA
mA
V
℃
℃
260℃ for 5 seconds
*
2
Soldering Temperature
T
sol
*1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms
*2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package
Electrical Characteristics
Characteristic
Forward Voltage
*
4
Luminous Intensity
Peak Wavelength
Spectrum Bandwidth
Reverse Current
*
3
Half Angle
Symbol
V
F
I
V
Test Condition
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
V
R
=4V
Min. Typ. Max.
2.6
780
-
-
-
-
-
3.4
1760
525
30
-
±17
±35
3.8
3960
-
-
10
-
-
Unit
V
mcd
nm
nm
uA
deg
λ
P
Δ
λ
I
R
θ
1/2
X
Y
I
F
= 20mA
*3.
θ
1/2
is the off-axis angle where the luminous intensity is
1/2
the peak intensity
*4. Luminous Intensity Maximum tolerance for each Grade Classification limit is
±18%
*4. Luminous Intensity classification
Q
R
S
T
780~1170 1170~1760 1760~2640 2640~3960
KLE-3013-000
2
SHE144PGH-(B)
Characteristic Diagrams
Fig. 1 I
F
- V
F
Fig. 2 I
V
- I
F
Forward Voltage V
F
[V]
Luminous Intensity I
v
[mcd]
Forward
Current I
F
[mA]
Forward
Current I
F
[mA]
Fig. 3 I
F
– Ta
Fig.4 Spectrum Distribution
Current I
F
[mA]
Forward
Ambient Temperature Ta [℃]
Relative Intensity [%]
Wavelength
λ
[nm]
Fig. 5-1 Radiation Diagram(X)
Fig. 5-2 Radiation Diagram(Y)
Relative Luminous Intensity Iv [%]
Relative Luminous Intensity Iv [%]
KLE-3013-000
3
■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항
1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 :
되어 있어
Chip 재질은 Al
2
o
3
(Sapphire: 절연체) 재질로
정전기에 취½한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면
제 특성을 발휘하지 못하며 또한 V
F
값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생
2. ESD 발생 원리 및 대치 방법
2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든
물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어
중성의 상태를 유지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에
의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고
(+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨.
※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등
※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등
※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등
2-2. 대전 방지 및 제거 방법
① 가습
-. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜
표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다.
상대 습도는 80%가 적당하다.
※ 습도에 따른 대전전위의 변화
대전물
상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%)
Table 작업을 행하는 ½우
6[KV]
0.1[KV]
비닐 포장 자재
7[KV]
0.6[KV]
폴리백을 작업대에서 손으로 드는 ½우
20[KV]
1.2[KV]
② 대전 방지제 사용
-. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가
시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려
③ 대전 방지용품 착용
-. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 :
Wrist Strap (손목 띠),
Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등
-. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는
제품 : Conductive Floor Mat
※ 현 제품 취급 시 주의 사항을
인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한
불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다.
KLE-3013-000
4
SHE144PGH-(B)
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communication equipment, measuring equipment, domestic electrification, etc.).
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ents which require high quality and/or reliability, and in equipments which could have
major impact to the welfare of human life(atomic energy control, airplane, spaceship, traffic
signal, combustion central, all types of safety device, etc.).
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were used in the mentioned equipments without prior consultation with AUK.
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5
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