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TLC27L1CPE4

产品描述Precision Amplifiers LinCMOS Lo-Power Op Amp
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小508KB,共32页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLC27L1CPE4概述

Precision Amplifiers LinCMOS Lo-Power Op Amp

TLC27L1CPE4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.00006 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.00006 µA
标称共模抑制比94 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压12000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e4
长度9.81 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5/10 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
标称压摆率0.03 V/us
最大压摆率0.033 mA
供电电压上限18 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽85 kHz
最小电压增益50000
宽度7.62 mm

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描述 Precision Amplifiers LinCMOS Lo-Power Op Amp Precision Amplifiers LinCMOS Lo-Power Op Amp Precision Amplifiers LinCMOS LO-PWR OP AMP Precision Amplifiers LinCMOS LO-PWR OP AMP Precision Amplifiers LinCMOS Lo-Power Op Amp TLC27L1A LinCMOS™ Low-Power Operational Amplifier TLC27L1B LinCMOS™ Low-Power Operational Amplifier TLC27L1 LinCMOS™ Low-Power Operational Amplifier
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 - - -
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 - - -
零件包装代码 DIP DIP SOIC SOIC DIP - - -
包装说明 DIP, DIP8,.3 PLASTIC, DIP-8 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 - - -
针数 8 8 8 8 8 - - -
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown - - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - -
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER - - -
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK - - -
最大平均偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.0006 µA 0.00006 µA - - -
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA 0.00006 µA - - -
标称共模抑制比 94 dB 94 dB 94 dB 94 dB 94 dB - - -
频率补偿 YES YES YES YES YES - - -
最大输入失调电压 12000 µV 13000 µV 3000 µV 7000 µV 6500 µV - - -
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 - - -
JESD-609代码 e4 e4 e4 e4 e4 - - -
长度 9.81 mm 9.81 mm 4.9 mm 4.9 mm 9.81 mm - - -
低-偏置 YES YES YES YES YES - - -
低-失调 NO NO NO NO NO - - -
微功率 YES YES YES YES YES - - -
功能数量 1 1 1 1 1 - - -
端子数量 8 8 8 8 8 - - -
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C - - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装代码 DIP DIP SOP SOP DIP - - -
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3 - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - -
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE - - -
包装方法 TUBE TUBE TUBE TUBE TUBE - - -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260 NOT SPECIFIED - - -
电源 5/10 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V 5/10 V - - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - -
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.08 mm - - -
标称压摆率 0.03 V/us 0.03 V/us 0.03 V/us 0.03 V/us 0.03 V/us - - -
最大压摆率 0.033 mA 0.043 mA 0.033 mA 0.043 mA 0.033 mA - - -
供电电压上限 18 V 18 V 18 V 18 V 18 V - - -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V - - -
表面贴装 NO NO YES YES NO - - -
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS - - -
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL - - -
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE - - -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm - - -
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL - - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - -
标称均一增益带宽 85 kHz 85 kHz 85 kHz 85 kHz 85 kHz - - -
最小电压增益 50000 50000 50000 50000 50000 - - -
宽度 7.62 mm 7.62 mm 3.905 mm 3.905 mm 7.62 mm - - -
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