P-channel enhancement-mode vertical dmos fets
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 350 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.18 A |
| 最大漏源导通电阻 | 15 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 12 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-92 |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 1 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| TP2635N3 | TP2640N3 | TP2640LG | |
|---|---|---|---|
| 描述 | P-channel enhancement-mode vertical dmos fets | P-channel enhancement-mode vertical dmos fets | P-channel enhancement-mode vertical dmos fets |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | SO-8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH INPUT IMPEDANCE | HIGH INPUT IMPEDANCE | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 350 V | 400 V | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.18 A | 0.18 A | 0.21 A |
| 最大漏源导通电阻 | 15 Ω | 15 Ω | 15 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 12 pF | 12 pF | 12 pF |
| JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | MS-012AA |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | O-PBCY-W3 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 1 W | 1 W | 1.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W | 1 W | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | GULL WING |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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