P-channel enhancement-mode vertical dmos fets
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Supertex |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | HIGH INPUT IMPEDANCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.18 A |
最大漏源导通电阻 | 15 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 12 pF |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
TP2640N3 | TP2640LG | TP2635N3 | |
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描述 | P-channel enhancement-mode vertical dmos fets | P-channel enhancement-mode vertical dmos fets | P-channel enhancement-mode vertical dmos fets |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | SO-8 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | HIGH INPUT IMPEDANCE | HIGH INPUT IMPEDANCE | HIGH INPUT IMPEDANCE |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V | 400 V | 350 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.18 A | 0.21 A | 0.18 A |
最大漏源导通电阻 | 15 Ω | 15 Ω | 15 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 12 pF | 12 pF | 12 pF |
JEDEC-95代码 | TO-92 | MS-012AA | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 | R-PDSO-G8 | O-PBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 8 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | RECTANGULAR | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | SMALL OUTLINE | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
功耗环境最大值 | 1 W | 1.3 W | 1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W | 1.3 W | 1.3 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE | GULL WING | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | DUAL | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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