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BC727

产品描述pnp silicon AF medium power transistors
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共2页
制造商Micro Electronics
官网地址http://www.microelectr.com.hk
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BC727概述

pnp silicon AF medium power transistors

BC727规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micro Electronics
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)63
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1

BC727相似产品对比

BC727 BC728
描述 pnp silicon AF medium power transistors pnp silicon AF medium power transistors
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 40 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 63 63
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz
Base Number Matches 1 1
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