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MT5C1005F-55/883C

产品描述256k x 4 sram sram memory array
文件大小95KB,共13页
制造商AUSTIN
官网地址http://www.austinsemiconductor.com/
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MT5C1005F-55/883C概述

256k x 4 sram sram memory array

改变信号的频率会不会使相移的角度发生变化呢
[color=#000][font=Arial, SimSun]正弦信号通过电抗元件时会产生电压和电流之间的相移,书上写的是会产生90度的相移,那么如果改变信号的频率会不会使相移的角度发生变化呢?[/font][/color]eeworldpostqq...
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测量MOS管温度的问题
[font=宋体]【不懂就问】[/font][font=宋体]现在想测量图1中,单端反激开关电源原边侧的MOS管在工作时的温度,MOS管如图2中所示。[/font][font=宋体]工作条件是:原边的输入PN母线是311VDC[/font][font=宋体]准备用图3的热耦接在万用表的温度档来测量[/font][font=宋体]把热耦的测量端夹在图2的MOS管和散热器之间,用MOS本身的螺丝固定[...
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如何看待TI DSP庞杂的技术文档
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凤凰写卡器制作
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这电路大家帮忙分析一下
看到一个电池切换电路,如下图,1、Q1、Q2为NMOS,Q3、Q4和Q5为PMOS管,D1为二极管。2、BAT1和BAT2为电池,BAT2的容量比BAT1大,VIN_5V为外部电源,VOUT为输出,给系统供电。3、VOUT会从优先级高的电源取电,优先用外部电源,其次容量大的电池,最后才是容量较小的电池,优先级排序:VIN_5VBAT2BAT1。问题:如果不用外部电源5V供电,只用两个电池BAT2和...
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