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1N5401G

产品描述glass passivated junction rectifier voltage: 50v to 1000v current: 3.0A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小16KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
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1N5401G概述

glass passivated junction rectifier voltage: 50v to 1000v current: 3.0A

1N5401G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Gulf Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流180 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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1N5400G - 1N5408G
PRV : 50 - 1000 Volts
Io : 3.0 Amperes
FEATURES :
*
*
*
*
*
Glass passivated chip
High current capability
High reliability
Low reverse current
Low forward voltage drop
GLASS PASSIVATED JUNCTION
SILICON RECTIFIERS
DO - 201AD
0.21 (5.33)
0.19 (4.83)
1.00 (25.4)
MIN.
0.375 (9.53)
0.285 (7.24)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-201AD Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
* Weight : 1.21 grams
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
1.00 (25.4)
MIN.
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
RATING
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current
0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 75
°C
Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine wave Superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at I
F
= 3.0 Amps.
Maximum DC Reverse Current
at rated DC Blocking Voltage
Ta = 25
°C
Ta = 100
°C
SYMBOL
1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G
UNIT
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
3.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
Volts
Volts
Volts
Amps.
I
FSM
V
F
I
R
I
R(H)
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.0
5.0
50
50
15
- 65 to + 175
- 65 to + 175
Amps.
Volts
µA
µA
pF
°C/W
°C
°C
Typical Junction Capacitance (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Notes :
(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V
DC
(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.
UPDATE : MAY 27, 1998

1N5401G相似产品对比

1N5401G
描述 glass passivated junction rectifier voltage: 50v to 1000v current: 3.0A
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Gulf Semiconductor
包装说明 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT
应用 GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-201AD
JESD-30 代码 O-PALF-W2
湿度敏感等级 1
最大非重复峰值正向电流 180 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 LONG FORM
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