Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MX29LV128DBTC-90Q

文档预览

MX29LV128DBTC-90Q: 产品描述128m-bit [16m x 8/8M x 16] single voltage 3V only flash memory; 产品类别存储存储; 文件大小878KB，共73页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx

下载文档详细参数选型对比全文预览

MX29LV128DBTC-90Q概述

128m-bit [16m x 8/8M x 16] single voltage 3V only flash memory

MX29LV128DBTC-90Q规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Macronix
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1,
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	18.4 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	48
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	12 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

MX29LV128D T/B

128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY

FEATURES

GENERAL FEATURES

• 16,777,216 x 8 / 8,388,608 x 16 switchable

• Sector Structure

- 8KB(4KW) x 8 and 64KB(32KW) x 255

• Extra 128-word sector for security

- Features factory locked and identifiable, and customer lockable

• Sector Groups Protection / Chip Unprotect

- Provides sector group protect function to prevent program or erase operation in the protected sector group

- Provides chip unprotect function to allow code changing

- Provides temporary sector group unprotect function for code changing in previously protected sector groups

• Single Power Supply Operation

- 3.0 to 3.6 volt for read, erase, and program operations

• Latch-up protected to 100mA from -1V to 1.5xVcc

• Low Vcc write inhibit : Vcc <= VLKO

• Compatible with JEDEC standard

- Pinout and software compatible to single power supply Flash

PERFORMANCE

• High Performance

- Fast access time: 90ns

- Fast program time: 11us/word (typical)

- Fast erase time: 1s/sector (typical)

• Low Power Consumption

- Low active read current: 20mA (typical) at 5MHz

- Low standby current: 8uA (typical)

• Typical 100,000 erase/program cycle

• 10 years data retention

SOFTWARE FEATURES

• Erase Suspend/ Erase Resume

- Suspends sector erase operation to read data from or program data to another sector which is not being erased

• Status Reply

- Data# Polling & Toggle bits provide detection of program and erase operation completion

• Support Common Flash Interface (CFI)

HARDWARE FEATURES

• Ready/Busy# (RY/BY#) Output

- Provides a hardware method of detecting program and erase operation completion

• Hardware Reset (RESET#) Input

- Provides a hardware method to reset the internal state machine to read mode

• WP#/ACC input pin

- Hardware write protect pin/Provides accelerated program capability

PACKAGE

• 48-Pin TSOP

• 56-Pin TSOP

• 70-Pin SSOP

•

All Pb-free devices are RoHS Compliant

P/N:PM1327

REV. 1.0, SEP. 22, 2008

MX29LV128DBTC-90Q相似产品对比

	MX29LV128DBTC-90Q	MX29LV128DBT2C-90Q	MX29LV128DBT2I-90Q	MX29LV128DBTI-90Q	MX29LV128DTMC-90Q	MX29LV128DTT2I-90Q	MX29LV128DTTI-90Q	MX29LV128D	MX29LV128DTTC-90Q	MX29LV128DTT2C-90Q
描述	128m-bit [16m x 8/8M x 16] single voltage 3V only flash memory	128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	128M-BIT [16M x 8/8M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY	128m-bit [16m x 8/8M x 16] single voltage 3V only flash memory	128m-bit [16m x 8/8M x 16] single voltage 3V only flash memory	128m-bit [16m x 8/8M x 16] single voltage 3V only flash memory
厂商名称	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix	-	Macronix	Macronix	-	Macronix	Macronix
零件包装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	SSOP	TSOP1	TSOP1	-	TSOP1	TSOP1
包装说明	TSOP1,	TSOP1,	14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, MO-142, TSOP1-56	TSOP1,	SSOP,	TSOP1,	TSOP1,	-	TSOP1,	TSOP1,
针数	48	56	56	48	70	56	48	-	48	56
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow	-	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	3A991.B.1.A	-	EAR99	3A991.B.1.A
最长访问时间	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	-	90 ns	90 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	-	8	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G56	R-PDSO-G56	R-PDSO-G48	R-PDSO-G70	R-PDSO-G56	R-PDSO-G48	-	R-PDSO-G48	R-PDSO-G56
长度	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm	28.5 mm	18.4 mm	18.4 mm	-	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bit	134217728 bi	134217728 bi	134217728 bi	-	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	-	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	-	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	-	1	1
端子数量	48	56	56	48	70	56	48	-	48	56
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	-	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	-	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	-	70 °C	70 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	-	8MX16	8MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	TSOP1	TSOP1	TSOP1	SSOP	TSOP1	TSOP1	-	TSOP1	TSOP1
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.05 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	-	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.8 mm	0.5 mm	0.5 mm	-	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL
宽度	12 mm	14 mm	14 mm	12 mm	12.6 mm	14 mm	12 mm	-	12 mm	14 mm

推荐资源

远距离RTD温度传感-电压电流输出变换电路

输出功率扩展电路

NJM2178应用电路

一款简洁的合并功放

采用μA723构成的低功耗电压稳压器电路图

PLL集成电路构成脉冲键控器

元件画法教程: 36491...; liumnqti PCB设计

78F1203芯片: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:07 编辑 78F1203芯片 ...; da610 电子竞赛

分享下资料！: 资料来于网络，希望大家多多分享下自己的收藏！！...; mayiking 电源技术

AT命令集的问题: AT命令集的定义是怎样的?是不是很复杂,用它是不是很麻烦? 我是外行,我想了解一下AT命令集,想知道如何更好更快的学会使用它. ...; chongxinzhenzuo 嵌入式系统

倾角传感器技术: 典型应用场合：应用角度测量，水平调整，零位调整倾角开关（十二路开关信号），安全控制，监控，报警机械臂，大坝，建筑，桥梁角度测量对准控制，弯曲控制。初始位置控制，倾角 ......; 安_然传感器

基于低压电力线载波技术的病房呼叫系统: 阐述了病房呼叫系统的基本组成以及一些相关的硬件设计和软件设计。基于MSC—51单片机多机通讯的设计思路,以SC1128扩频通信芯片为基础,辅以外围电路,设计了一个利用低压载波传输数据的病房呼叫系 ......; fighting 嵌入式系统

通过串口利用printf函数输出数据

　　一。printf函数格式　　printf函数具有强大的输出功能　　%表示格式化字符串输出　　目前printf支持以下格式的输出，例如：　　printf( %c ,a);输出单个字符。　　printf( %d ,a);输出十进制整数。　　printf( %f ,a);输出十进制浮点数. 　　printf( %o ,a);输出八进制数。　　printf( %s ,a);输出字符串。...[详细]
stm32学习笔记之串口通信

　　在基础实验成功的基础上，对串口的调试方法进行实践。硬件代码顺利完成之后，对日后调试需要用到的printf重定义进行调试，固定在自己的库函数中。　　b) 初始化函数定义：　　void USART_Configuration(void); //定义串口初始化函数　　c) 初始化函数调用：　　void UART_Configuration(void); //串口初始化函数调用　　初始化代...[详细]
450Wh/kg！融捷集团发布第二代硫化物全固态电池

当固态电池行业仍在为电动汽车的“终极方案”进行漫长的技术马拉松时，部分企业已开始寻找更切近的商业化落地场景。近日，融捷集团旗下的融捷能源科技有限公司（以下简称“融捷能源”）正式推出其第二代全固态硫化物电池，能量密度达到450 Wh/kg。固态电池迈向实处，三赛道精准卡位 2025年，全球固态电池产业进入了一个关键的“去芜存菁”阶段。在经历多轮资本与产业的热潮起伏后，市场正...[详细]
工业机械异常检测

您怎么知道一台机器是否在正常运行？问题的回答是：通过利用深度学习来检测工业机器的常规振动数据中的异常情况。异常检测有很多用途，而尤其在预测性维护中特别有用。这个深度学习的例子讲的是基于双向长短期记忆网络（biLSTM）的自动编码器。虽然这个词很拗口，但它仅表示训练网络来重构“正常”数据。这样，当我们给算法提供一些看起来不同的数据时，重构错误会提示您机器可能需要维护。当您所拥有的数据均为“正...[详细]
你知道“汽车电子围栏”是什么吗

什么是“汽车电子围栏” 车队管理者可在亚美科技的车辆后台管理系统(PC端或者手机端)中设置一个图形区域(规则或不规则)或按行政区划分。当已安装车智汇智能终端的车辆驶离指定的区域，系统会按事先设定的条件，启动相关的处理程序，及时向车队管理者发出警报及手机端会推送通知。亚美科技课堂：汽车电子围栏的工作流程第一，为汽车安装亚美科技智能终端的产品。第二，车队管理者在亚美科技的车辆后台管理系统中...[详细]
解析Android移动设备的传感器技术

在移动技术中，传感器是被测量信号输入的首要技术，也是传感器系统中的元件组成部分，它包括载体和电路连接的敏感元件和转换元件，但是传感器系统却是组合某种信息处理能力元件的传感器。Android平台应用的传感器技术有姿态传感器技术、光电传感器技术、磁场传感器技术和加速度传感器技术等诸多耀眼的传感器技术，传感器系统功能非常强大，很多人还不知道是传感器为用户提供了巨大的便利。传感器是一种检测装置，是实...[详细]
台积电遭 28 名美国亚利桑那工厂员工起诉

8 月 25 日消息，台积电作为全球领先的芯片代工制造商，其在美国亚利桑那州建设芯片制造工厂的决定备受瞩目。台积电主要为无晶圆厂（fabless）的芯片设计公司生产芯片，这些公司包括苹果、英伟达、高通、联发科、博通和 AMD 等科技巨头。美国一直渴望在半导体领域实现自给自足，而台积电的这一举措被视为重要一步。特朗普政府为台积电在美国建厂铺平了道路，拜登总统则通过签署《芯片与科学法案》提供了数十...[详细]
用国产大模型，特斯拉接入豆包和DeepSeek

日前，特斯拉发布了《特斯拉车机语音助手使用条款》，宣布车机语音助手将接入火山引擎提供的豆包大模型（云雀大模型）和DeepSeek Chat，而对于具体上线时间官方暂未明确。该条款指出，每辆特斯拉都配备了语音助手功能。车主可以通过物理按键、“嘿，Tesla”或自定义唤醒词激活车机语音助手，进而与车辆进行语音交互。根据特斯拉中国官网更新的《特斯拉车机语音助手使用条款》显示，全新上...[详细]
嵌入式大佬给你分析stm32串口

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。　　什么是串口　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器　　USART : Uni...[详细]
汽车使用劣质火花塞负面影响多，如何区分火花塞真假

火花塞对于发动机来说是必不可少的一个装置了，正所谓离开了火花塞，发动机无法正常的工作，严重的后果就是在高速行车的时候，那么对于火花塞来说，购买更换看似简单，但是实际上面来说，使用不当带来的危害还是很大的，火花塞主要的作用就是满足发动机在工作的时候所需要的电能，达到促进汽油燃烧的这么一个装置，而对于火花塞来说，假的劣质的火花塞有哪些危害？假的火花带来的后果会导致加速性能下降，冷启动困难等一...[详细]
了解这几点，飞创直线电机模组如何选型轻松搞定

直线电机模组因行程长、速度快、精度高、运行平稳、寿命长等优势，成为各领域的“甜点”，不同型号的直线电机模组可以达到不同的效果，直线电机模组选型正确与否，不仅影响产品的使用，还影响着直线模组后续功能的发挥，给设备和项目推进带来各种问题，因此我们在选购直线电机模组时，需要了解以下几点。飞创直线电机模组的选型可以根据负载、有效行程、重复定位精度、运行速度和加速度、应用环境、安装方式这几个重要参数...[详细]
STM32F103-串口IAP

一、IAP是什么 IAP即为In Application Programming,解释为在应用中编程，用户自己的程序在运行过程中对User Flash的部分区域进行烧写。即是一种对单片机flash擦写的一种编程方案。通常情况下，一片stm32单片机的flash只有一个用户程序，而IAP编程则是将单片机的flash分成至少两大区域，一部分叫做bootloader区，一部分叫做app用户代码区，还...[详细]
必看！R型单相控制变压器定制方法大揭秘

在了解单相控制变压器之前，让我们简单地了解一下什么是单相变压器？单相变压器是输入的电是单相电。与三相变压器相比，单相变压器有两条分火线和零线。三相变压器有三根火线和零线，单相变压器结构简单，体积小，损耗低，主要是铁损耗小，通常适用于负荷密度小的低压配电设备。一般来说，现代单相控制变压器的设计创新取得了很大的进展，单相控制变压器具有能耗小、体积小、接线安全可靠等优点。目前单相控制变压器常用于...[详细]
快速入门 | 篇十五：运动控制器运动缓冲简介

之前正运动技术与大家分享了，运动控制器的固件升级、ZBasic程序开发、ZPLC程序开发、与触摸屏通讯和输入/输出IO的应用、运动控制器数据与存储的应用、运动控制器ZCAN、EtherCAT总线的使用、示波器的应用、多任务运行的特点、运动控制器中断的应用、U盘接口的使用、ZDevelop 编程软件的使用以及运动控制器的基础轴参数与基础运动控制指令等。今天，我们来讲解一下正运动技术运动控制器...[详细]
挑战 SK 海力士：消息称三星 HBM4 样品已通过英伟达测试

8 月 21 日消息，据韩媒 SEDaily 昨天报道，据半导体业界消息，三星上月提供给英伟达的 HBM4 样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。其中“预生产”（IT之家注：PP，Pre-Production）是指半导体芯片量产前实施的最终验证阶段，需要测试其与客户 GPU 产品的兼容性，以及在特定温度下能否满足高质量标准。 SEDaily 表示，HBM4 芯片将被应用在...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看