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HSC3417

产品描述npn epitaxial planar transistor
文件大小32KB,共3页
制造商台湾华昕(HSMC)
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HSC3417概述

npn epitaxial planar transistor

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6618-C
Issued Date : 1994.05.12
Revised Date : 2000.10.01
Page No. : 1/3
HSC3417
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Features
High–Definition CRT Display Video Output Applications
High Breakdown Voltage: BVCEO=300V
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature ............................................................................................ -50 ~ +150
°C
Junction Temperature ................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................... 1.2 W
Total Power Dissipation (Tc=25°C) ...................................................................................... 7 W
Maximum Voltages and Currents
BVCBO Collector to Base Voltage .................................................................................... 300 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................. 300 V
BVEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 5 V
IC Collector Current ....................................................................................................... 100 mA
Electrical Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE
fT
Cob
Min.
300
300
5
-
-
-
-
40
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
70
2.6
Max.
-
-
-
100
100
600
1
320
-
-
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
V
MHz
pF
Test Conditions
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=4V
IC=20mA, IB=2mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=10mA, VCE=10V
IC=10mA ,VCE=30V, f=100MHz
VCB=30V, f=1MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
Classification Of hFE
Rank
Range
C
40-80
D
60-120
E
100-200
F
160-320
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