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HL6319G

产品描述algainp laser diodes
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小91KB,共4页
制造商Opnext(Oclaro)
官网地址https://www.oclaro.com
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HL6319G概述

algainp laser diodes

HL6319G规格参数

参数名称属性值
厂商名称Opnext(Oclaro)
包装说明LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
功能数量1
最高工作温度50 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
标称输出功率10 mW
峰值波长635 nm
半导体材料InGaAsP
形状ROUND
尺寸2 mm
表面贴装NO
最大阈值电流75 mA

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HL6319G/20G
AlGaInP Laser Diodes
Description
The HL6319G/20G are 0.63
µm
band AlGaInP laser diodes with a multi-quantum well (MQW) structure. They are
suitable as light sources for laser levelers and optical equipment for measurement.
ODE-208-027 (Z)
Rev.0
Jul. 01, 2005
Features
Visible light output: 635 nm Typ
Single longitudinal mode
Optical output power: 10 mW CW
Low operating current: 95 mA Max
Low operating voltage: 2.7 V Max
TM mode oscillation
Package Type
HL6319G/20G: G2
Internal Circuit
HL6319G
1
3
Internal Circuit
HL6320G
1
3
PD
LD
PD
LD
2
2
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C)
Item
Optical output power
LD reverse voltage
PD reverse voltage
Operating temperature
Storage temperature
Symbol
P
O
V
R(LD)
V
R(PD)
Topr
Tstg
Ratings
10
2
30
–10 to +50
–40 to +85
Unit
mW
V
V
°C
°C
Optical and Electrical Characteristics
(T
C
= 25°C)
Item
Threshold current
Operating current
Operating voltage
Slope efficiency
Beam divergence
parallel to the junction
Beam divergence
perpendicular to the junction
Astigmatism
Lasing wavelength
Monitor current
Symbol
Ith
I
OP
V
OP
ηs
θ//
θ⊥
A
S
λp
I
S
Min
20
0.3
5
25
625
0.05
Typ
50
70
0.5
8
31
5
635
0.17
Max
75
95
2.7
0.7
11
37
640
0.30
Unit
mA
mA
V
mW/mA
°
°
µm
nm
mA
Test Conditions
P
O
= 10 mW
P
O
= 10 mW
6 (mW) / (I
(8mW)
– I
(2mW)
)
P
O
= 10 mW
P
O
= 10 mW
P
O
= 10 mW, NA = 0.55
P
O
= 10 mW
P
O
= 10 mW, V
R(PD)
= 5 V
Rev.0 Jul. 01, 2005 page 1 of 4

HL6319G相似产品对比

HL6319G HL6320G
描述 algainp laser diodes algainp laser diodes
厂商名称 Opnext(Oclaro) Opnext(Oclaro)
包装说明 LD/G2, 3 PIN LD/G2, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
功能数量 1 1
最高工作温度 50 °C 50 °C
最低工作温度 -10 °C -10 °C
光电设备类型 LASER DIODE LASER DIODE
标称输出功率 10 mW 10 mW
峰值波长 635 nm 635 nm
半导体材料 InGaAsP InGaAsP
形状 ROUND ROUND
尺寸 2 mm 2 mm
表面贴装 NO NO
最大阈值电流 75 mA 75 mA
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