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2SK3121

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共4页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK3121概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN

2SK3121规格参数

参数名称属性值
Objectid1544142492
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.0035 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)12 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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