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P6SMBJ36

产品描述600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小167KB,共3页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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P6SMBJ36概述

600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA

P6SMBJ36规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压48.8 V
最小击穿电压40 V
击穿电压标称值44.4 V
最大钳位电压64.3 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压36 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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