silicon planar epitaxial transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
最大集电极电流 (IC) | 0.15 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 350 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
表面贴装 | YES |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
CSC2712BL | CSC2712G | CSC2712L | CSC2712BLL | CSC2712Y | CSC2712GRG | |
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描述 | silicon planar epitaxial transistor | silicon planar epitaxial transistor | silicon planar epitaxial transistor | silicon planar epitaxial transistor | silicon planar epitaxial transistor | silicon planar epitaxial transistor |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 | 不符合 | - | 符合 | - |
厂商名称 | CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] | CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] | CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] | - | CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] | - |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | - | compliant | - |
最大集电极电流 (IC) | 0.15 A | 0.15 A | 0.15 A | - | 0.15 A | - |
配置 | Single | Single | Single | - | SINGLE | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 350 | 200 | 350 | - | 120 | - |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - | 150 °C | - |
极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | - | NPN | - |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W | 0.15 W | 0.15 W | - | 0.15 W | - |
表面贴装 | YES | YES | YES | - | YES | - |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz | 80 MHz | 80 MHz | - | 80 MHz | - |
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