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CSC2712G

产品描述silicon planar epitaxial transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB,共3页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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CSC2712G概述

silicon planar epitaxial transistor

CSC2712G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.15 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)80 MHz

CSC2712G相似产品对比

CSC2712G CSC2712L CSC2712BLL CSC2712BL CSC2712Y CSC2712GRG
描述 silicon planar epitaxial transistor silicon planar epitaxial transistor silicon planar epitaxial transistor silicon planar epitaxial transistor silicon planar epitaxial transistor silicon planar epitaxial transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 符合 符合 -
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] - CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] -
Reach Compliance Code compliant compliant - compliant compliant -
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A - 0.15 A 0.15 A -
配置 Single Single - Single SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 200 350 - 350 120 -
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C -
极性/信道类型 NPN NPN - NPN NPN -
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W - 0.15 W 0.15 W -
表面贴装 YES YES - YES YES -
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz - 80 MHz 80 MHz -

 
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