SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBCY3
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | DALLAS |
Reach Compliance Code | unknow |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 256 bi |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
字数 | 256 words |
字数代码 | 256 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256X1 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | SIP3,.075,50 |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
电源 | 2.7/10 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大压摆率 | 0.0015 mA |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
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