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FESB8GTN

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小251KB,共2页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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FESB8GTN概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 400V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

FESB8GTN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS, FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接ANODE
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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