1T-SRAM 存储器 IC 576Mb(8M x 72) 并联 1.25 GHz 2.6 ns 324-PBGA(19x19)
| 参数名称 | 属性值 |
| 类别 | |
| 厂商名称 | MoSys Inc |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 技术 | 1T-SRAM |
| 存储容量 | 576Mb(8M x 72) |
| 存储器接口 | 并联 |
| 时钟频率 | 1.25 GHz |
| 访问时间 | 2.6 ns |
| 电压 - 供电 | 0.95V |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C(TC) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 324-BGA |
| 供应商器件封装 | 324-PBGA(19x19) |
| 基本产品编号 | MSR622 |
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