DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散 | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 60 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.006 µs |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| BAS55235 | BAS55212 | BAS55215 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
| 包装说明 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散 | 0.25 W | 0.25 W | 0.25 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 60 V | 60 V | 60 V |
| 最大反向恢复时间 | 0.006 µs | 0.006 µs | 0.006 µs |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | - | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
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