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BAS55212: 产品描述DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小119KB，共5页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BAS55212概述

DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

	BAS55212	BAS55235	BAS55215
描述	DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	DIODE 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
包装说明	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.25 W	0.25 W	0.25 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	60 V	60 V	60 V
最大反向恢复时间	0.006 µs	0.006 µs	0.006 µs
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ