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G2R1000MT17D

产品描述通孔 N 通道 1700 V 4A(Tc) 53W(Tc) TO-247-3
产品类别分立半导体    晶体管   
制造商GeneSiC Semiconductor
标准
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G2R1000MT17D概述

通孔 N 通道 1700 V 4A(Tc) 53W(Tc) TO-247-3

G2R1000MT17D规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称GeneSiC Semiconductor
系列G2R™
包装管件
FET 类型N 通道
技术SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.2 欧姆 @ 2A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 2mA
Vgs(最大值)+20V,-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)139 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)53W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3
基本产品编号G2R1000
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