54ACT175ERQMLV,54ACT175ERQMLV pdf中文资料,54ACT175ERQMLV引脚图,54ACT175ERQMLV电路-Datasheet-电子工程世界

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54ACT175ERQMLV: 产品描述IC,FLIP-FLOP,QUAD,D TYPE,CMOS, RAD HARD,LLCC,20PIN,CERAMIC; 产品类别逻辑逻辑; 文件大小135KB，共8页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

54ACT175ERQMLV概述

IC,FLIP-FLOP,QUAD,D TYPE,CMOS, RAD HARD,LLCC,20PIN,CERAMIC

54ACT175ERQMLV规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	QCCN, LCC20,.35SQ
Reach Compliance Code	compliant
JESD-30 代码	S-XQCC-N20
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	D FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup	95000000 Hz
最大I（ol）	0.024 A
功能数量	4
端子数量	20
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC20,.35SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	12.5 ns
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535V;38534K;883S
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
总剂量	100k Rad(Si) V
触发器类型	POSITIVE EDGE
Base Number Matches	1

54ACT175ERQMLV相似产品对比

	54ACT175ERQMLV	54ACT175LMQB-RH	54ACT175WRQMLV	54ACT175FMQB-RH	54ACT175DMQB-RH
描述	IC,FLIP-FLOP,QUAD,D TYPE,CMOS, RAD HARD,LLCC,20PIN,CERAMIC	ACT SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CQCC20, CERAMIC, LCC-20	IC,FLIP-FLOP,QUAD,D TYPE,CMOS, RAD HARD,FP,16PIN,CERAMIC	ACT SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDFP16, CERAMIC, FP-16	ACT SERIES, POSITIVE EDGE TRIGGERED D FLIP-FLOP, COMPLEMENTARY OUTPUT, CDIP16, CERAMIC, DIP-16
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	QCCN, LCC20,.35SQ	QCCN, LCC20,.35SQ	DFP, FL16,.3	DFP, FL16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	unknown	unknown
JESD-30 代码	S-XQCC-N20	S-CQCC-N20	R-XDFP-F16	R-GDFP-F16	R-GDIP-T16
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP	D FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup	95000000 Hz	95000000 Hz	95000000 Hz	95000000 Hz	95000000 Hz
最大I（ol）	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A	0.024 A
功能数量	4	1	4	1	1
端子数量	20	20	16	16	16
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	QCCN	QCCN	DFP	DFP	DIP
封装等效代码	LCC20,.35SQ	LCC20,.35SQ	FL16,.3	FL16,.3	DIP16,.3
封装形状	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	FLATPACK	FLATPACK	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	12.5 ns	12.5 ns	12.5 ns	12.5 ns	12.5 ns
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535V;38534K;883S	38535Q/M;38534H;883B	38535V;38534K;883S	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	FLAT	FLAT	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V
触发器类型	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE	POSITIVE EDGE
Base Number Matches	1	1	1	1	1
系列	-	ACT	-	ACT	ACT
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	e0
长度	-	8.89 mm	-	9.6645 mm	19.43 mm
位数	-	4	-	4	4
输出极性	-	COMPLEMENTARY	-	COMPLEMENTARY	COMPLEMENTARY
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
传播延迟（tpd）	-	12.5 ns	-	12.5 ns	12.5 ns
座面最大高度	-	1.905 mm	-	2.032 mm	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	-	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	-	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn63Pb37)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	-	8.89 mm	-	6.604 mm	7.62 mm
最小 fmax	-	95 MHz	-	95 MHz	95 MHz

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