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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> GS8050BU
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GS8050BU

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小37KB，共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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GS8050BU概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN

GS8050BU规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)85
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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GS8050xU
Small Signal Transistors (NPN)
TO-226AA (TO-92)
0.181 (4.6)
min. 0.492 (12.5) 0.181 (4.6)
0.142 (3.6)
ct
odu
Pr
ew
N
Features
•
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for amplifier
applications. Especially suitable for low power output
stages such as portable radios in class-B push-pull
operation.
• Complementary to GS8550xU
• The “x” in the part number can be B, C or D, depending
on the current gain.
Mechanical Data
Case:
TO-92 Plastic Package
Weight:
approx. 0.18g
Packaging Codes/Options:
E6/Bulk - 5K per container, 20K per box
E7/4K per Ammo mag., 20K per box
max.
∅
0.022 (0.55)
0.098 (2.5)
Bottom
View
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
fied
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise speci-
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation at T
amb
= 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
R
θJA
T
j
T
S
Value
40
25
6
800
625
(1)
200
(1)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C/W
°C
°C
Notes:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2mm from case
10/5/01

GS8050BU相似产品对比

GS8050BU GS8050DU GS8050CU
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, PLASTIC, TO-92, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 85 160 120
JEDEC-95代码 TO-226AA TO-226AA TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世)
Base Number Matches 1 1 -

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