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HVC358BTRF

产品描述Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小24KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HVC358BTRF概述

Variable Capacitance Diode, 15V, Silicon

HVC358BTRF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压15 V
配置SINGLE
最小二极管电容比2.2
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HVC358B
Variable Capacitance Diode for VCO
ADE-208-418(Z)
Rev. 0
July 1996
Features
High capacitance ratio. (n =2.20.min)
Low series resistance. (rs=0.4Ωmax)
Good C-V linearity.
Ultra small Flat Package (UFP) is suitable for surface mount design.
Ordering Information
Type No.
HVC358B
Laser Mark
B2
Package Code
UFP
Outline
Cathode mark
Mark
1
B2
2
1. Cathode
2. Anode
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