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KBP302G C2

产品描述桥式整流器 Single Phase 标准 100 V 通孔 KBP
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小196KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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KBP302G C2概述

桥式整流器 Single Phase 标准 100 V 通孔 KBP

KBP302G C2规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装管件
二极管类型Single Phase
技术标准
电压 - 峰值反向(最大值)100 V
电流 - 平均整流 (Io)3 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1 V @ 3 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10 µA @ 100 V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
封装/外壳4-SIP,KBP
供应商器件封装KBP

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KBP301G thru KBP307G
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
- Ideal for printed circuit board
- High case dielectric strength
- High surge current capability
- Typical IR less than 0.1uA
- UL Recognized File # E-326243
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
KBP
MECHANICAL DATA
Case:
Molded plastic body
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Polarity:
Polarity as marked on the body
Weight:
1.54 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current,
8.3 ms single half sine-wave
Peak forward surge current,
1.0 ms single half sine-wave
Rating of fusing ( t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 3 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
T
J
= 25℃
T
J
= 125℃
T
J
= 25℃
T
J
= 125℃
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
Cj
R
θjL
R
θjA
T
J
T
STG
KBP
301G
50
35
50
KBP
302G
100
70
100
KBP
303G
200
140
200
KBP
304G
400
280
400
3
80
50
160
100
26.5
1.1
10
500
215
11
30
- 55 to +150
- 55 to +150
O
KBP
305G
600
420
600
KBP
306G
800
560
800
KBP
307G
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
A
A
A
2
s
V
μA
pF
C/W
O
O
Typical junction capacitance per leg (Note 2)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C
C
Note 2: Measured at 1MHz and applied Reverse bias of 4.0V DC
Document Number: DS_D1308033
Version: G13
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