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RMWV6416AGSD-5S2#HA0

产品描述SRAM 存储器 IC 64Mb(8M x 8,4M x 16) 并联 55 ns 52-TSOP II
产品类别半导体    存储器   
文件大小299KB,共16页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RMWV6416AGSD-5S2#HA0概述

SRAM 存储器 IC 64Mb(8M x 8,4M x 16) 并联 55 ns 52-TSOP II

RMWV6416AGSD-5S2#HA0规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装卷带(TR)
存储器类型易失
存储器格式SRAM
技术SRAM
存储容量64Mb(8M x 8,4M x 16)
存储器接口并联
写周期时间 - 字,页55ns
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型
封装/外壳52-TFSOP(0.350",8.89mm 宽)
供应商器件封装52-TSOP II
访问时间55 ns
基本产品编号RMWV6416
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