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Datasheet> 器件分类 > 半导体> 存储器> IS29GL512S-11DHB01
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IS29GL512S-11DHB01

产品描述FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb（64M x 8） 并联 64-FBGA（9x9）
产品类别半导体    存储器   
文件大小2MB，共109页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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IS29GL512S-11DHB01概述

FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb（64M x 8） 并联 64-FBGA（9x9）

IS29GL512S-11DHB01规格参数

参数名称属性值
类别
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
系列GL-S
包装托盘
存储器类型非易失
存储器格式闪存
技术FLASH - NOR
存储容量512Mb（64M x 8）
存储器接口并联
写周期时间 - 字，页60ns
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型表面贴装型
封装/外壳64-LBGA
供应商器件封装64-FBGA（9x9）
访问时间110 ns
基本产品编号IS29GL512

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