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“八年前的今天，注册成立成都锐成芯微，一路走来，四季更替中体验冷暖，在打击中变得坚强，在成功中执着！2016年打开汽车电子市场。2019年10月，与盛芯微合并，因此补足短板，同时拥有极低功耗技术，嵌入式存储器，超低功耗RF三项技术，也是国内唯一在物联网技术领域，最完整的平台。八年时间，Actt在成长，客户在成长，小伙伴们也在成长，感谢所有帮助过Actt的朋友，一路有您，很温暖；也感谢我们的...[详细]

第二季度净收入和毛利率均较上季度增长，分别为18.6亿美元和34%第二季度净收入扭亏为赢Nano2017研发项目获得欧盟批准2014年7月发行10亿美元无担保可转换债券，资本结构更加稳健中国，2014年7月24日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM)公布了截至2014年6月...[详细]

昨日，省委常委、市委书记裴金佳，市长庄稼汉会见了来访的华为公司轮值董事长徐直军一行，双方就加强在集成电路、软件信息、智慧城市等领域的合作进行深入交流。裴金佳表示，厦门与华为拥有良好的合作基础。当前厦门正以推进“双千亿”工作为抓手，大力发展高端制造业和现代服务业，推动互联网、大数据、人工智能和实体经济深度融合。欢迎华为积极拓展与厦门在信息产业发展和智慧城市建设等领域的合作，我们将竭力创造优质的发展...[详细]

从去年IFA期间华为发布第一款人工智能移动处理器麒麟970开始，如当时我们专题文章中的预测，最近半年多来人工智能移动处理器成为市场上的主角。AI芯片井喷，可以说近期发布的所有旗舰手机都挂上了AI的概念。从搭载麒麟970的手机，到配置高通骁龙845的产品，AI成为大家的香饽饽。一向低调的苹果，也在去年秋季发布会上热推了其“仿生”芯片A11，并带火了神经网络。那么，井喷的AI芯片，是否是...[详细]

CEA、Soitec、GlobalFoundries和STMicroelectronics宣布了一项新的合作，他们打算共同定义业界下一代FD-SOI（完全耗尽绝缘体上硅）技术路线图。半导体和FD-SOI创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI为设计人员和客户系统提供了巨大的优势，包括更低的功耗以及更容易的集成，例如连接性和安全性，这是汽车、物联网和移动应用的关键功能。“20多...[详细]

一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代，初版方案亦可望采用类似的混搭技术，足见此设计方...[详细]

下一代芯片技术中最令人感到激动的，莫过于可显著降低系统功耗、同时提升带宽的硅光电子应用。这种用于芯片到芯片(chip-to-chip)的通讯方式，在硅片上用光来作为信息传导介质，因此能够取得比传统铜导线更优异的数据传输性能、同时将能量消耗降低到令人难以置信的级别。现在，IBM宣称已将这一技术提升到了更高的层次，并且将一个硅光集成芯片塞到了与CPU相同的封装尺寸中。需要指...[详细]

1月2日从工信部获悉，《中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年)》发布，《路线图》较为系统地梳理了国内外光电子器件产业技术现状，聚焦于信息光电子领域的光通信器件、通信光纤光缆、特种光纤、光传感器件四大门类并进行了深入分析，研究产业竞争优劣形势，剖析发展面临机遇挑战，研究发展思路和战略目标，提出若干策略建议与重点方向，力求引领产业发展导向、促进合理布局规划，凝聚行业力量共同推动我光...[详细]

研究人员演示了最新的Rowhammer攻击，利用GPU翻转比特入侵Android手机。Rowhammer攻击是指利用临近内存单元之间电子的互相影响，在足够多的访问次数后让某个单元的值从1变成0，反之亦然。这种现象被称为比特翻转（bitflipping），可被利用获取更高的权限。最新的漏洞利用被称为GLitch（PDF），首次演示了GPU能翻转个别储存在DRAM...[详细]

半导体硅晶圆产业从去年初以来呈现供不应求而价涨的荣景，至今相关业者扩充产能皆有限，市场大多估计这波大好情势至少可延续到2019年，甚至是2020年，包括环球晶、台胜科、合晶、汉磊等台厂，后续业绩都看旺。环球晶是全球第三大半导体硅晶圆厂，大尺寸与中小尺寸硅晶圆产品线布局完整，公司去年业绩创新高。台胜科去年合并营收也达历史高峰。由于报价持续走扬，台胜科首季业绩有机会季增一成以上，再创新高...[详细]

意法半导体的PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mmx11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路，能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%，PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相...[详细]

随着计算机全面进入纳米时代，工程师们发现想要遵循摩尔定律变得越来越难了。1965年，Intel创始人戈登·摩尔提出了提出了“摩尔定律”，即集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔1-2年便会增加一倍，性能也随之翻倍。五十多年来，摩尔定律一直有效，但目前业界的预测是，未来10-15年，在进行三次技术升级后，芯片制造工艺将达到5纳米，这意味着单个晶体管栅极的长度将仅为10个原子大小。在...[详细]

IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次革命具代表性的产品。作为工业控制及自动化领域的核心元器件，被称为能量转换的CPU，属于我国“02专项”重点扶持项目。IGBT即InsulatedGateBipolar（绝缘栅双极晶体管），属于电压控制器件，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，是半导体领域里分立器件中特别重要的一个分支。能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的...[详细]

去年微软曾宣布计划，在ARM架构处理器上运行Windows桌面应用。而该计划的第一步就是允许合作伙伴生产自己的笔记本设备，在操作系统中运行模拟器从而让Windows10系统支持ARM芯片（主要基于高通骁龙835处理器），能够运行类似于Chrome和Photoshop在内的主流应用程序。尽管很多消费者对于这类设备充满了期待，但高通近日透露产品的上市时间最早也要到今年年底。在最近召开的投资者会议...[详细]

11月12日消息，据韩国产业通商资源部官网新闻稿，半导体光刻胶巨头日本JSR今日在韩国忠清北道清州举行MOR（IT之家注：金属氧化物）光刻胶生产基地的奠基仪式。该生产基地由JSR在韩子公司JSRMicroKorea建设，将生产可用于EUV光刻的MOR光刻胶，目标2026年建成投产。这也是韩国境内的首个同类光刻胶工厂。适用于EUV制程的MOR光刻胶能...[详细]