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BXY43-T1ES: 产品描述Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小189KB，共5页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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BXY43-T1ES概述

Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,

BXY43-T1ES规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
包装说明	O-CXMW-G2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
应用	ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压	150 V
配置	SINGLE
最大二极管电容	0.45 pF
标称二极管电容	0.3 pF
二极管元件材料	SILICON
最大二极管正向电阻	1.5 Ω
二极管电阻测试电流	0.02 mA
二极管电阻测试频率	100 MHz
二极管类型	PIN DIODE
JESD-30 代码	O-CXMW-G2
JESD-609代码	e3
少数载流子标称寿命	0.65 µs
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	MICROWAVE
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
参考标准	ESA-SCC-5513/030
反向测试电压	50 V
表面贴装	YES
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	UNSPECIFIED
Base Number Matches	1

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BXY43

HiRel

Silicon PIN Diode



HiRel

Discrete and Microwave

Semiconductor

Current controlled RF resistor for RF

attenuators and switches

High reverse voltage

Hermetically sealed microwave

package

Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5513/030

Type Variant No.s 01 to 03

ESD: Electrostatic discharge

sensitive device,

observe handling precautions!

Type

BXY43-T (ql)

BXY43-T1 (ql)

Marking

Ordering Code

see below

Pin Configuration

Package

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality

H: High Rel Quality

S: Space Quality

ES: ESA Space Quality

(see order instructions for ordering example)

IFAG IMM RPD D HIR

1 of 5

V2, February 2011

BXY43-T1ES相似产品对比

	BXY43-T1ES	BXY43T1ESZZZA1	BXY43-TES	BXY43-TP	BXY43-T1P	BXY43T1PZZZA1
描述	Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,	Pin Diode,	Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,	Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,	Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,	Pin Diode,
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
二极管类型	PIN DIODE	PIN DIODE	PIN DIODE	PIN DIODE	PIN DIODE	PIN DIODE
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
包装说明	O-CXMW-G2	-	O-CELF-R2	O-CELF-R2	O-CXMW-G2	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	-	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
应用	ATTENUATOR; SWITCHING	-	ATTENUATOR; SWITCHING	ATTENUATOR; SWITCHING	ATTENUATOR; SWITCHING	-
最小击穿电压	150 V	-	150 V	150 V	150 V	-
配置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
最大二极管电容	0.45 pF	-	0.45 pF	0.45 pF	0.45 pF	-
标称二极管电容	0.3 pF	-	0.3 pF	0.3 pF	0.3 pF	-
二极管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	-
最大二极管正向电阻	1.5 Ω	-	1.5 Ω	1.5 Ω	1.5 Ω	-
二极管电阻测试电流	0.02 mA	-	0.02 mA	0.02 mA	0.02 mA	-
二极管电阻测试频率	100 MHz	-	100 MHz	100 MHz	100 MHz	-
JESD-30 代码	O-CXMW-G2	-	O-CELF-R2	O-CELF-R2	O-CXMW-G2	-
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e3	-
少数载流子标称寿命	0.65 µs	-	0.65 µs	0.65 µs	0.65 µs	-
元件数量	1	-	1	1	1	-
端子数量	2	-	2	2	2	-
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-
封装形状	ROUND	-	ROUND	ROUND	ROUND	-
封装形式	MICROWAVE	-	LONG FORM	LONG FORM	MICROWAVE	-
最大功率耗散	0.5 W	-	0.5 W	0.5 W	0.5 W	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
反向测试电压	50 V	-	50 V	50 V	50 V	-
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	-
技术	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	-	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE	-
端子面层	MATTE TIN	-	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	-
端子形式	GULL WING	-	WRAP AROUND	WRAP AROUND	GULL WING	-
端子位置	UNSPECIFIED	-	END	END	UNSPECIFIED	-

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