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BXY43-TP

产品描述Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共5页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BXY43-TP概述

Pin Diode, 150V V(BR), Silicon,

BXY43-TP规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明O-CELF-R2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH RELIABILITY
应用ATTENUATOR; SWITCHING
最小击穿电压150 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最大二极管电容0.45 pF
标称二极管电容0.3 pF
二极管元件材料SILICON
最大二极管正向电阻1.5 Ω
二极管电阻测试电流0.02 mA
二极管电阻测试频率100 MHz
二极管类型PIN DIODE
JESD-30 代码O-CELF-R2
JESD-609代码e3
少数载流子标称寿命0.65 µs
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
反向测试电压50 V
表面贴装YES
技术POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE
端子面层MATTE TIN
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
Base Number Matches1

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BXY43
HiRel
Silicon PIN Diode
HiRel
Discrete and Microwave
Semiconductor
Current controlled RF resistor for RF
attenuators and switches
High reverse voltage
Hermetically sealed microwave
package
Space Qualified
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5513/030
Type Variant No.s 01 to 03
T
T1
ESD: Electrostatic discharge
sensitive device,
observe handling precautions!
Type
BXY43-T (ql)
BXY43-T1 (ql)
Marking
-
Ordering Code
see below
Pin Configuration
Package
T
T1
1
1
2
2
(ql) Quality Level:
P: Professional Quality
H: High Rel Quality
S: Space Quality
ES: ESA Space Quality
(see order instructions for ordering example)
IFAG IMM RPD D HIR
1 of 5
V2, February 2011

BXY43-TP相似产品对比

BXY43-TP BXY43T1ESZZZA1 BXY43-TES BXY43-T1ES BXY43-T1P BXY43T1PZZZA1
描述 Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, Pin Diode, Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, Pin Diode, 150V V(BR), Silicon, Pin Diode,
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
二极管类型 PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE PIN DIODE
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
包装说明 O-CELF-R2 - O-CELF-R2 O-CXMW-G2 O-CXMW-G2 -
其他特性 HIGH RELIABILITY - HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY -
应用 ATTENUATOR; SWITCHING - ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING ATTENUATOR; SWITCHING -
最小击穿电压 150 V - 150 V 150 V 150 V -
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE -
最大二极管电容 0.45 pF - 0.45 pF 0.45 pF 0.45 pF -
标称二极管电容 0.3 pF - 0.3 pF 0.3 pF 0.3 pF -
二极管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON -
最大二极管正向电阻 1.5 Ω - 1.5 Ω 1.5 Ω 1.5 Ω -
二极管电阻测试电流 0.02 mA - 0.02 mA 0.02 mA 0.02 mA -
二极管电阻测试频率 100 MHz - 100 MHz 100 MHz 100 MHz -
JESD-30 代码 O-CELF-R2 - O-CELF-R2 O-CXMW-G2 O-CXMW-G2 -
JESD-609代码 e3 - e3 e3 e3 -
少数载流子标称寿命 0.65 µs - 0.65 µs 0.65 µs 0.65 µs -
元件数量 1 - 1 1 1 -
端子数量 2 - 2 2 2 -
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED -
封装形状 ROUND - ROUND ROUND ROUND -
封装形式 LONG FORM - LONG FORM MICROWAVE MICROWAVE -
最大功率耗散 0.5 W - 0.5 W 0.5 W 0.5 W -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
反向测试电压 50 V - 50 V 50 V 50 V -
表面贴装 YES - YES YES YES -
技术 POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE - POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE -
端子面层 MATTE TIN - MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN -
端子形式 WRAP AROUND - WRAP AROUND GULL WING GULL WING -
端子位置 END - END UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99

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