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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BC850A
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BC850A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB，共2页
制造商DIOTEC
官网地址http://www.diotec.com/
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BC850A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BC850A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称DIOTEC
零件包装代码SOT-23
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)110
JEDEC-95代码TO-236
JESD-30 代码R-PDSO-G3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.31 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

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BC846 ... BC850
BC846 ... BC850
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
1.1
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Version 2011-07-07
Plastic case
Kunststoffgehäuse
±0.1
Type
Code
1
1.9
2
2.5 max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BC846
BC847
BC850
45 V
50 V
6V
250 mW
1
)
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
BC848
BC849
30 V
30 V
5V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
I
CM
T
j
T
S
65 V
80 V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V, I
C
= 10 µA
Group A
Group B
Group C
Group A
Group B
Group C
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEsat
V
CEsat
V
BEsat
V
BEsat
–
–
–
110
200
420
–
–
–
–
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
90
150
270
180
290
520
90 mV
200 mV
700 mV
900 mV
Max.
–
–
–
220
450
800
250 mV
600 mV
–
–
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 5 mA
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SOT-23 SOT-23 SOT-23
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 30 V 65 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 110 110 420
JEDEC-95代码 TO-236 TO-236 TO-236
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz 300 MHz
Base Number Matches 1 1 1
最大功率耗散 (Abs) 0.31 W 0.31 W -

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