BC849A: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小93KB，共2页; 制造商DIOTEC; 官网地址http://www.diotec.com/; 标准

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BC849A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

BC849A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	110
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.31 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz
Base Number Matches	1

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BC846 ... BC850

NPN

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

1.3

1.1

NPN

250 mW

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

Version 2011-07-07

Plastic case

Kunststoffgehäuse

±0.1

Type

Code

1.9

2.5 max

Weight approx. – Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1=B

2=E

3=C

Maximum ratings (T

= 25°C)

Grenzwerte (T

= 25°C)

BC846

BC847

BC850

45 V

50 V

250 mW

)

100 mA

200 mA

-55...+150°C

-55…+150°C

BC848

BC849

30 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

B open

E open

C open

CEO

CBO

EBO

tot

65 V

80 V

Characteristics (T

= 25°C)

Min.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

= 5 V, I

= 10 µA

Group A

Group B

Group C

Group A

Group B

Group C

CEsat

BEsat

–

110

200

420

–

Kennwerte (T

= 25°C)

Typ.

150

270

180

290

520

90 mV

200 mV

700 mV

900 mV

Max.

–

220

450

800

250 mV

600 mV

–

= 5 V, I

= 2 mA

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung

)

= 10 mA, I

= 0.5 mA

= 100 mA, I

= 5 mA

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung

)

= 10 mA, I

= 0.5 mA

= 100 mA, I

= 5 mA

Mounted on P.C. board with 3 mm

copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm

Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t

= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t

= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

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描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	SOT-23	SOT-23	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	30 V	45 V	65 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	110	110	420
JEDEC-95代码	TO-236	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
湿度敏感等级	1	1	1
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	300 MHz	300 MHz
Base Number Matches	1	1	1
最大功率耗散 (Abs)	0.31 W	0.31 W	-

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