Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT9HTF12872FY-53EE1D4

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MT9HTF12872FY-53EE1D4: 产品描述Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240; 产品类别存储存储; 文件大小668KB，共39页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/; 标准

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MT9HTF12872FY-53EE1D4概述

Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240

MT9HTF12872FY-53EE1D4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM240,40
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDMA-N240
内存密度	9663676416 bit
内存宽度	72
端子数量	240
字数	134217728 words
字数代码	128000000
最高工作温度	95 °C
最低工作温度
组织	128MX72
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM240,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	1.5,1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	NO LEAD
端子节距	1 mm
端子位置	DUAL

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Preliminary

‡

240-Pin 512MB, 1GB DDR2 SDRAM FBDIMM (SR, FB, x72)

Features

DDR2 SDRAM FBDIMM

MT9HTF6472F – 512MB

MT9HTF12872F – 1GB

For the latest data sheet, refer to Micron’s Web site:

www.micron.com

Features

• 240-pin DDR2 fully buffered, dual in-line memory

module (FBDIMM) with ECC to detect and report

channel errors to the host memory controller

• Fast data transfer rates: PC2-4200 and PC2-5300

using 533 MT/s and 667 MT/s DDR2 SDRAM

components

• 3.2 Gb/s and 4.0 Gb/s link transfer rates

• High-speed, differential, point-to-point link

between host memory controller and the AMB using

serial, dual-simplex bit lanes

–

10-pair southbound (data path to FBDIMM)

–

14-pair northbound (data path from FBDIMM)

• Fault tolerant; can work around a bad bit lane in

each direction

• High-density scaling with up to 8 dual-rank modules

(288 DDR2 SDRAM devices) per channel

• SMBus interface to AMB for configuration register

access

• In-band and out-of-band command access

• Deterministic protocol

–

Enables memory controller to optimize DRAM

accesses for maximum performance

–

Delivers precise control and repeatable memory

behavior

• Automatic DDR2 SDRAM bus and channel

calibration

• Transmitter de-emphasis to reduce ISI

• MBIST and IBIST test functions

• Transparent mode for DDR2 SDRAM test support

• V

= V

Q = +1.8V for DDR2 SDRAM

• V

REF

= 0 .9V SDRAM C/A termination

• V

= 1.5V for advanced memory buffer (AMB)

• V

DDSPD

= +1.7V to +3.6V for SPD EEPROM

• Serial presence-detect (SPD) with EEPROM

• Gold edge contacts

• Single rank

• Supports 95°C operation with 2X refresh (

REFI =

7.8µs at or below 85°C;

REFI = 3.9µs above 85°C)

Figure 1:

240-Pin FBDIMM (MO-256 R/C A)

PCB height: 30.35mm (1.19in)

Options

• Package

–

240-pin FBDIMM (lead-free)

• Frequency/CL

–

3.75ns @ CL = 5 (DDR2-667)

–

3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)

• PCB height

–

30.35mm (1.19in)

Notes: 1. CL = CAS (READ) latency.

Marking

-667

-53E

PDF: 09005aef81a2f1eb/Source: 09005aef81a2f20c

HTF9C64_128x72F_1.fm - Rev. B 4/06 EN

Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

‡Products and specifications discussed herein are for evaluation and reference purposes only and are subject to change by

Micron without notice. Products are only warranted by Micron to meet Micron’s production data sheet specifications.

Preliminary

240-Pin 512MB, 1GB DDR2 SDRAM FBDIMM (SR, FB, x72)

Table of Contents

Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

Table of Contents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3

List of Figures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .4

List of Tables. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5

Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

FBDIMM Specification Details . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6

General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7

Functional Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

Advanced Memory Buffer (AMB) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .9

AMB Interface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

High-Speed, Differential, Point-to-Point Link Interfaces (1.5V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

DDR2 Channel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

SMBus Slave Interface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Channel Latency. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Peak Theoretical Throughput . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11

Hot-Add . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Hot-Remove . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

Hot-Replace. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14

FBDIMM Functional Block . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

Pin Assignments and Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Electrical Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Specifications and Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Assumptions for All Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

Differential Transmitter and Receiver Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

AMB Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Serial Presence-Detect . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

SPD Clock and Data Conventions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

SPD Start Condition. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

SPD Stop Condition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

SPD Acknowledge. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .29

Module Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39

PDF: 09005aef81a2f1eb/Source: 09005aef81a2f20c

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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Preliminary

240-Pin 512MB, 1GB DDR2 SDRAM FBDIMM (SR, FB, x72)

List of Figures

Figure 1:

Figure 2:

Figure 3:

Figure 4:

Figure 5:

Figure 6:

Figure 7:

Figure 8:

Figure 9:

Figure 10:

Figure 11:

Figure 12:

240-Pin FBDIMM (MO-256 R/C A) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1

FBDIMM System Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8

AMB Interface Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10

AMB Functional Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13

FBDIMM Functional Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .15

FBDIMM Pin Locations . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .17

AMB Initialization Flow Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28

Data Validity . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30

Definition of Start and Stop . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30

Acknowledge Response from Receiver . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .30

SPD EEPROM Timing Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

240-pin DDR2 FBDIMM Module Dimensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .39

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Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.

Preliminary

240-Pin 512MB, 1GB DDR2 SDRAM FBDIMM (SR, FB, x72)

List of Tables

Table 1:

Table 2:

Table 3:

Table 4:

Table 5:

Table 6:

Table 7:

Table 8:

Table 9:

Table 10:

Table 11:

Table 12:

Table 13:

Table 14:

Table 15:

Table 16:

Table 17:

Table 18:

Table 19:

Table 20:

FBDIMM/DDR2 SDRAM Addressing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

Performance Parameters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

Part Numbers and Label Markings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2

240-pin FBDIMM Pin Assignment . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16

Pin Descriptions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18

Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Input DC Voltage and Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19

Timing Parameters . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20

DDR2 I

Specifications and Conditions – 512MB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .21

DDR2 I

Specifications and Conditions – 1GB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .22

Reference Clock Input Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Currents. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .23

Differential Transmitter Output Specifications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24

Differential Receiver Input Specifications. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .26

EEPROM Device Select Code . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

EEPROM Operating Modes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31

Serial Presence-Detect EEPROM DC Operating Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

Serial Presence-Detect EEPROM AC Operating Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .32

MT9HTF6472F Serial Presence-Detect Matrix . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .33

MT9HTF12872F Serial Presence-Detect Matrix. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36

PDF: 09005aef81a2f1eb/Source: 09005aef81a2f20c

HTF9C64_128x72FLOT.fm - Rev. B 4/06 EN

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MT9HTF12872FY-53EE1D4相似产品对比

	MT9HTF12872FY-53EE1D4	MT9HTF12872FY-53EA2E2	MT9HTF12872FY-53EE1E4	MT9HTF6472FY-53EB2E2	MT9HTF6472FY-53EC2	MT9HTF6472FY-53EB3D1	MT9HTF6472FY-53EB3E2	MT9HTF6472FY-53XX
描述	Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 128MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, LEAD FREE, FBDIMM-240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	Memory IC, 64MX72, CMOS, PDMA240	DDR DRAM Module, 64MX72, CMOS, LEAD FREE, FBDIMM-240
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
包装说明	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM,	DIMM, DIMM240,40	DIMM, DIMM240,40	DIMM,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	unknown	compliant	unknown	unknown	compliant
JESD-30 代码	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-XDMA-N240	R-PDMA-N240	R-PDMA-N240	R-XDMA-N240
内存密度	9663676416 bit	9663676416 bit	9663676416 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit
内存宽度	72	72	72	72	72	72	72	72
端子数量	240	240	240	240	240	240	240	240
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	64000000	64000000	64000000	64000000	64000000
组织	128MX72	128MX72	128MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	-	-	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	266 MHz	266 MHz	266 MHz	-	266 MHz	266 MHz	-
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	-
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	85 °C	95 °C	95 °C	-
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	-
封装等效代码	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	DIMM240,40	-	DIMM240,40	DIMM240,40	-
电源	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	-	1.5,1.8 V	1.5,1.8 V	-
刷新周期	8192	8192	8192	8192	-	8192	8192	-
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	-
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	-	1 mm	1 mm	-

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STM32单片机是如何启动的？

STM32中的内存 STM32中的内存包含两块主要区域：flash memory（只读）、static ram memory（SRAM，读写）。其中，flash memory 起始于0x08000000，SRAM起始于0x20000000。flash memory的第一部分存放异常向量表，表中包含了指向各种异常处理程序的指针。比如说，RESET Handler便位于0x08000004的位置，在...[详细]
USART波特率 vs SPI速率--学习笔记

　　本篇文章将与大家探讨USART波特率 vs SPI速率。这里提出一个问题，为什么USART的波特率是内核时钟的1/8或者1/16，而SPI最快的频率可以是内核时钟的1/2。　　请大家带着这个问题来阅读本文。　　　　串口和SPI内部时钟　　在回答上面问题之前，需要先了解STM32内部时钟的概念，尤其是串口和SPI的内部时钟。　　STM32里包含有系统时钟、AHB时钟和APB时钟...[详细]
STM32学习笔记之核心板PCB设计

　　PCB设计流程　　　　PCB规则设置　　设计规则的单位跟随画布属性里设置的单位，此处单位是mil。导线线宽最小为10mil;不同网络元素之间最小间距为8mil;孔外径为24mil，孔内径为12mil;线长不做设置;在PCB设计过程中，都要开启“实时规则检测”、“检测元素到覆铜的距离”和“在布线时显示DRC安全边界”功能。　　　　布局原则　　布局一般要遵守以下原则：　...[详细]
双模逆变器是什么意思，优势有哪些

双模逆变器既可以并网运行，也可以独立运行。这些逆变器可以将来自可再生能源和存储设备的额外能量注入电网，并在可再生能源产生的能量不足时从电网收回电能。换句话说，根据负载的要求，这些逆变器可以作为独立逆变器和并网逆变器使用。双模逆变器是多功能的，包括独立逆变器和并网逆变器的功能。双模逆变器是什么意思? 双模逆变器的功能随负载而变化。如果电网出现问题，或者当可再生能源的电力足以满足负载时，...[详细]
加热板：真空共晶炉的热力中心与材料塑造者

真空共晶炉是一个关键的设备，用于制造和处理各种材料，尤其是在微电子和纳米技术领域。这种设备的核心组件之一就是加热板。在本文中，我们将详细介绍真空共晶炉的加热板，包括其结构，功能，以及在整个真空共晶过程中的作用。首先，我们需要了解什么是加热板。简单来说，加热板是真空共晶炉中的一个重要部分，负责将电能转化为热能，提供足够的热量以满足共晶生长的需求。加热板通常由耐高温的材料制成，如石墨或者特殊的...[详细]
未来工厂：搭载人工智能的边缘传感器设计——第1部分

摘要提升工业系统智能化的方法有多种，其中包括将边缘和云端人工智能(AI)技术应用于配备模拟和数字器件的传感器。鉴于AI方法的多样性，传感器设计人员需要考虑若干相互冲突的要求，包括决策延迟、网络使用、功耗/电池寿命以及适合机器的AI模型。本系列文章重点介绍智能AI无线电机监测传感器的设计，并回答一些关键问题，例如：边缘AI如何延长传感器电池的寿命？系统的洞察和决策能力有哪些提升？本文介绍的...[详细]
日产将与LiCAP合作研发固态电池技术

据外媒报道，日产汽车近日已与美国电池技术公司LiCAP Technologies达成合作，旨在共同推进下一代电动汽车干法电极生产工艺技术的研发。双方将共同致力于开发全固态电池（ASSB）正极的干法电极生产工艺技术，该技术是推动电动汽车发展的核心组件之一。图片来源：日产此次合作正值日产汽车计划在2028财年前推出搭载自主研发的全固态电池的电动汽车之际，该公司希望通过加强研发活动...[详细]
小白转行入门STM32----手机蓝牙控制STM32单片机点亮LED

一、通信基础知识 1.1 通信到底传输的是什么？在逻辑层面，通信传输的是比特也就是二进制数。在物理层面上，当线路为电路时，发送方发送一个个持续小段时间的电压信号来表示这些二进制数，比如双方约定一个0.001秒的0V代表数字0，5V代表数字1，发送方发送先后发送两个持续0.001秒的0V和一个0.001秒的5V，就是相当于发送了001。这种持续一段时间的电压信号就是码元。当线路为无线电波时，码元...[详细]
STM32定时器配置为编码器模式

一、编码器原理如果两个信号相位差为90度，则这两个信号称为正交。由于两个信号相差90度，因此可以根据两个信号哪个先哪个后来判断方向、根据每个信号脉冲数量的多少及整个编码轮的周长就可以算出当前行走的距离、如果再加上定时器的话还可以计算出速度。二、为什么要用编码器从上图可以看出，由于TI，T2一前一后有个90度的相位差，所以当出现这个相位差时就表示轮子旋转了一个角度。但有人会问了...[详细]
STM32中的C语言知识点

下面就列出了一些STM32中重要的C语言知识点，初学的小伙伴可以多读几遍，其中大多知识点之前都有写过，这里重新整理一下，更详细地分析解释可以阅读附带的链接。 assert_param 断言（assert）就是用于在代码中捕捉这些假设，可以将断言看作是异常处理的一种高级形式。断言表示为一些布尔表达式，程序员相信在程序中的某个特定点该表达式值为真。可以在任何时候启用和禁用断言验证，因此可以在测试时...[详细]
串联逆变器与并联逆变电源有什么不同，先开通后关断

串联逆变器和并联逆变器的区别在于使用不同的振荡电路。串联逆变器将L、R和c串联，并联逆变器将L、R和c并联。串联逆变器与并联逆变电源有哪些区别串联逆变器的负载电路具有低阻抗。需要电压源电源，大滤波电容器应并联在DC电源端子上。如果逆变器发生故障，由于浪涌电流大，很难提供保护。并联逆变器的负载电路呈现高阻抗，需要电流源供电。大型电抗器应串联在DC电力终端。如果逆变器发生故障，很容易提...[详细]
中星联华科技受邀参加第三届信息通信仪器仪表产业技术论坛

8月19日，中星联华科技受邀参加第三届信息通信仪器仪表产业技术论坛、信息通信测试仪器仪表专委会一届二次委员会。本次论坛由中国仪器仪表学会信息通信测试仪器仪表专业委员会（以下简称“专委会”）主办，中国移动研究院承办，以“ ‘仪’筑新质生产力，‘智’引测试新未来 ” 为主题，汇聚了中国移动、中国电信、中国联通、中国信通院及北京邮电大学等近百家单位代表，共推产业技术创新与协同发展。作为...[详细]
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　　1. 内容简介　　在2015年，苹果新一代的MacBook和Apple Watch皆搭载压力触控感应技术，它被Apple称为Force Touch，用户每次按下触控板之后除了可以在萤幕看见视觉回馈，它同时能够分辨出用户点按的力度强弱来做出一系列的相关操控与应用。而本文将介绍以HY16F184内建高精密Sigma-delta 24 Bit ADC搭配Uneo Force Sensor来实现一...[详细]
华为问界M7首搭舱内激光视觉方案，可识别锥桶等障碍物

8月20日，华为终端宣布全新问界M7首搭舱内激光视觉方案，该方案相较于主视觉辅助驾驶方案具备更强的主动安全能力，能在恶劣光线环境下精准检测突发状况，新增紧急转向辅助ESA，可识别锥桶等障碍物，提升出行安全。问界M7尺寸为5080×1999×1780mm，轴距3030mm，可选车顶有无激光雷达。无车顶激光雷达的车型将搭载舱内激光方案，号称“行业首发舱内激光”。华为智能汽车解决方案BU CEO靳玉志...[详细]
尼得科精密检测科技将参展Testing Expo China—Automotive 2025

尼得科精密检测科技株式会社将参展于 2025年8月27日（星期三）～8月29日（星期五）在上海世博展览中心举办的“Testing Expo China—Automotive 2025”。本次展会是国际性的汽车测试展览会，全面展示汽车测试、开发和验证技术的各个方面，其每年在上海举行，并在底特律和斯图加特举办姊妹展会。尼得科精密检测科技首次参与该行业盛会，将带来包括电机测试台架、电机特...[详细]

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