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934058366115

产品描述Power Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小306KB,共13页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
标准
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934058366115概述

Power Field-Effect Transistor

934058366115规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)80 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (ID)46 A
最大漏源导通电阻0.021 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-235
JESD-30 代码R-PSSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)184 A
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

934058366115相似产品对比

934058366115 BUK9Y19-55B
描述 Power Field-Effect Transistor Power Field-Effect Transistor
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 80 mJ 80 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V
最大漏极电流 (ID) 46 A 46 A
最大漏源导通电阻 0.021 Ω 0.021 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G4 R-PSSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 184 A 184 A
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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