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7164S20TP: 产品描述Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小113KB，共11页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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7164S20TP概述

Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

7164S20TP规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	19 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	34.671 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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CMOS Static RAM

64K (8K x 8-Bit)

Features

High-speed address/chip select access time

– Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.)

– Industrial: 25/35ns (max.)

– Commercial: 15/20/25/35ns (max.)

Low power consumption

Battery backup operation – 2V data retention voltage

(L Version only)

Produced with advanced CMOS high-performance

technology

Inputs and outputs directly TTL-compatible

Three-state outputs

Available in 28-pin DIP, CERDIP and SOJ

Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

IDT7164S

IDT7164L

Description

The IDT7164 is a 65,536 bit high-speed static RAM organized as 8K

x 8. It is fabricated using IDT’s high-performance, high-reliability CMOS

technology.

Address access times as fast as 15ns are available and the circuit

offers a reduced power standby mode. When

goes HIGH or CS

goes LOW, the circuit will automatically go to, and remain in, a low-

power stand by mode. The low-power (L) version also offers a battery

backup data retention capability at power supply levels as low as 2V.

All inputs and outputs of the IDT7164 are TTL-compatible and

operation is from a single 5V supply, simplifying system designs. Fully

static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing

for operation.

The IDT7164 is packaged in a 28-pin 300 mil DIP and SOJ and a 28-

pin 600 mil CERDIP.

Military grade product is manufactured in compliance with the latest

revision of MIL-STD-883, Class B, making it ideally suited to military

temperature applications demanding the highest level of performance

and reliability.

Functional Block Diagram

ADDRESS

DECODER

65,536 BIT

MEMORY ARRAY

GND

I/O

I/O CONTROL

I/O

CONTROL

LOGIC

2967 drw 01

DECEMBER 2001

DSC-2967/11

7164S20TP相似产品对比

	7164S20TP	IDT7164L15YG8	7164L25YI	7164L25YI8	7164L20Y	7164L20Y8	7164S20Y	7164S20Y8	7164L20TP
描述	Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, SOJ-28	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数	28	28	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	19 ns	15 ns	25 ns	25 ns	19 ns	19 ns	19 ns	19 ns	19 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDSO-J28	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0	e3	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	34.671 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	17.9324 mm	34.671 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	DIP
封装等效代码	DIP28,.3	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	SOJ28,.34	DIP28,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	225	225	225	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	4.572 mm
最大待机电流	0.015 A	0.00006 A	0.00006 A	0.00006 A	0.00006 A	0.00006 A	0.015 A	0.015 A	0.00006 A
最小待机电流	4.5 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	4.5 V	4.5 V	2 V
最大压摆率	0.17 mA	0.1 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30	30
宽度	7.62 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.5184 mm	7.62 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-
湿度敏感等级	-	3	3	3	3	3	3	3	-

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