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BYWB29-200HE3/81

产品描述rectifiers 200 volt 8.0A 25ns single glass pass
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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BYWB29-200HE3/81概述

rectifiers 200 volt 8.0A 25ns single glass pass

BYWB29-200HE3/81规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)245
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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BYX10GP
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Miniature Glass Passivated Junction Rectifier
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability
application
• Cavity-free glass-passivated junction
• 0.36 A operation at T
A
= 40 °C with no thermal
runaway
• Typical I
R
less than 0.1 μA
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
SUPERECTIFIER
®
DO-41 (DO-204AL)
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
I
R
V
F
at I
F
= 2.0 A
T
J
max.
Package
Circuit configuration
0.36 A
1600 V
15 A
2.0 μs
1.0 μA
1.6 V
175 °C
DO-41 (DO-204AL)
Single
For use in rectification of high voltage power supplies,
inverters, converters and freewheeling diodes application.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-41 (DO-204AL), molded epoxy over glass body
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade
Terminals:
matte tin plated leads, solderable
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test
per
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum working reverse voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5 mm) lead length at T
A
= 40 °C
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed on rated load
per diode
Operating junction and storage temperature range
SYMBOL
V
RRM
V
RWM
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
BYX10GP
1600
800
0.36
15
-65 to +175
UNIT
V
V
A
A
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum instantaneous forward voltage
Maximum peak reverse current at rated peak
working reverse voltage
Typical reverse recovery time
Typical junction capacitance
Notes
(1)
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle
(2)
Pulse test: Pulse width
40 ms
TEST CONDITIONS
I
F
= 2.0 A
V
RWM
= 800 V
T
A
= 25 °C
T
A
= 25 °C
SYMBOL
V
F (1)
I
R (2)
t
rr
C
J
BYX10GP
1.6
1.0
2.0
5.0
UNIT
V
μA
μs
pF
I
F
= 0.5 A, I
R
= 1.0 A, I
rr
= 0.25 A
V
R
= 4.0 V, 1 MHz
Revision: 19-Apr-17
Document Number: 89112
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000
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