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SN54ABT652AFK

产品描述ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小163KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SN54ABT652AFK概述

ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28

SN54ABT652AFK规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码QFN
包装说明CERAMIC, CC-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION
控制类型INDEPENDENT CONTROL
计数方向BIDIRECTIONAL
系列ABT
JESD-30 代码S-CQCC-N28
长度11.43 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型REGISTERED BUS TRANSCEIVER
最大I(ol)0.048 A
位数8
功能数量1
端口数量2
端子数量28
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QCCN
封装等效代码LCC28,.45SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
最大电源电流(ICC)30 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup6.9 ns
传播延迟(tpd)5.9 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.03 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
翻译N/A
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度11.43 mm
Base Number Matches1

SN54ABT652AFK相似产品对比

SN54ABT652AFK SN54ABT652AW SN54ABT652AJT
描述 ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28 ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDFP24, DFP-24 ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 QFN DFP DIP
包装说明 CERAMIC, CC-28 DFP-24 DIP, DIP24,.3
针数 28 24 24
Reach Compliance Code not_compliant unknown not_compliant
其他特性 WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION
系列 ABT ABT ABT
JESD-30 代码 S-CQCC-N28 R-GDFP-F24 R-GDIP-T24
长度 11.43 mm 14.36 mm 32.005 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 REGISTERED BUS TRANSCEIVER REGISTERED BUS TRANSCEIVER REGISTERED BUS TRANSCEIVER
位数 8 8 8
功能数量 1 1 1
端口数量 2 2 2
端子数量 28 24 24
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 TRUE TRUE TRUE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 QCCN DFP DIP
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER FLATPACK IN-LINE
最大电源电流(ICC) 30 mA 30 mA 30 mA
传播延迟(tpd) 5.9 ns 5.9 ns 5.9 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.03 mm 2.29 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO
技术 BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 NO LEAD FLAT THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL
宽度 11.43 mm 9.09 mm 7.62 mm
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
控制类型 INDEPENDENT CONTROL - INDEPENDENT CONTROL
计数方向 BIDIRECTIONAL - BIDIRECTIONAL
最大I(ol) 0.048 A - 0.048 A
封装等效代码 LCC28,.45SQ - DIP24,.3
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 5 V - 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 6.9 ns - 5.2 ns
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
翻译 N/A - N/A
触发器类型 POSITIVE EDGE - POSITIVE EDGE
Base Number Matches 1 1 -

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