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SN54ABT652AJT

产品描述ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小163KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

SN54ABT652AJT概述

ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24

SN54ABT652AJT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP24,.3
针数24
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION
控制类型INDEPENDENT CONTROL
计数方向BIDIRECTIONAL
系列ABT
JESD-30 代码R-GDIP-T24
长度32.005 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型REGISTERED BUS TRANSCEIVER
最大I(ol)0.048 A
位数8
功能数量1
端口数量2
端子数量24
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出特性3-STATE
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
最大电源电流(ICC)30 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup5.2 ns
传播延迟(tpd)5.9 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
翻译N/A
触发器类型POSITIVE EDGE
宽度7.62 mm

SN54ABT652AJT相似产品对比

SN54ABT652AJT SN54ABT652AFK SN54ABT652AW
描述 ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CQCC28, CERAMIC, CC-28 ABT SERIES, 8-BIT REGISTERED TRANSCEIVER, TRUE OUTPUT, CDFP24, DFP-24
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP QFN DFP
包装说明 DIP, DIP24,.3 CERAMIC, CC-28 DFP-24
针数 24 28 24
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown
其他特性 WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION WITH INDEPENDENT OUTPUT ENABLE FOR EACH DIRECTION
系列 ABT ABT ABT
JESD-30 代码 R-GDIP-T24 S-CQCC-N28 R-GDFP-F24
长度 32.005 mm 11.43 mm 14.36 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 REGISTERED BUS TRANSCEIVER REGISTERED BUS TRANSCEIVER REGISTERED BUS TRANSCEIVER
位数 8 8 8
功能数量 1 1 1
端口数量 2 2 2
端子数量 24 28 24
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
输出极性 TRUE TRUE TRUE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP QCCN DFP
封装形状 RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER FLATPACK
最大电源电流(ICC) 30 mA 30 mA 30 mA
传播延迟(tpd) 5.9 ns 5.9 ns 5.9 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 2.03 mm 2.29 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD FLAT
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL
宽度 7.62 mm 11.43 mm 9.09 mm
是否Rohs认证 不符合 不符合 -
控制类型 INDEPENDENT CONTROL INDEPENDENT CONTROL -
计数方向 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL -
最大I(ol) 0.048 A 0.048 A -
封装等效代码 DIP24,.3 LCC28,.45SQ -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V 5 V -
Prop。Delay @ Nom-Sup 5.2 ns 6.9 ns -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
翻译 N/A N/A -
触发器类型 POSITIVE EDGE POSITIVE EDGE -
Base Number Matches - 1 1

 
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