电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HYMD512646BL8J-J

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184
产品类别存储    存储   
文件大小327KB,共16页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 全文预览

HYMD512646BL8J-J概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, PDMA184

HYMD512646BL8J-J规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
Objectid1125504522
包装说明DIMM, DIMM184
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
YTEOL0
最长访问时间0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N184
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
端子数量184
字数134217728 words
字数代码128000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大待机电流0.16 A
最大压摆率3.96 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 14  481  549  954  1405 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved