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JANTXV2N6987

产品描述Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小212KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JANTXV2N6987概述

Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14

JANTXV2N6987规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明IN-LINE, R-GDIP-T14
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.6 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-GDIP-T14
元件数量4
端子数量14
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
认证状态Qualified
参考标准MIL-PRF-19500/558
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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2N6987
Silicon PNP Transistor
Data Sheet
Description
Complement to the 2N6989
Semicoa Semiconductors offers:
Screening and processing per MIL-PRF-19500
Appendix E
JAN level (2N6987J)
JANTX level (2N6987JX)
JANTXV level (2N6987JV)
JANS level (2N6987JS)
QCI to the applicable level
100% die visual inspection per MIL-STD-750 method
2072 for JANTXV and JANS
Radiation testing (total dose) upon request
Applications
General purpose switching
4 Transistor Array
PNP silicon transistor
Features
Hermetically sealed Cerdip ceramic
Also available in chip configuration
Chip geometry 0600
Reference document:
MIL-PRF-19500/558
Benefits
Please contact Semicoa for special configurations
www.SEMICOA.com or (714) 979-1900
Qualification Levels: JAN, JANTX,
JANTXV and JANS
Radiation testing available
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Power Dissipation, T
A
= 25
O
C
Derate linearly above 25
O
C
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
STG
T
C
= 25°C unless otherwise specified
Rating
60
60
5
600
1.5
8.57
-65 to +200
-65 to +200
Unit
Volts
Volts
Volts
mA
W
mW/°C
°C
°C
Copyright 2002
Rev. D
Semicoa Semiconductors, Inc.
333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541
Page 1 of 2
www.SEMICOA.com

JANTXV2N6987相似产品对比

JANTXV2N6987 JANTX2N6987 JAN2N6987 JANS2N6987
描述 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Ceramic, Glass-Sealed, 14 Pin, HERMETIC SEALED, CERDIP-14
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP
包装说明 IN-LINE, R-GDIP-T14 IN-LINE, R-GDIP-T14 IN-LINE, R-GDIP-T14 IN-LINE, R-GDIP-T14
针数 14 14 14 14
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V 60 V
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50 50
JESD-30 代码 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14 R-GDIP-T14
元件数量 4 4 4 4
端子数量 14 14 14 14
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-PRF-19500/558 MIL-PRF-19500/558 MIL-PRF-19500/558 MIL-PRF-19500/558
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
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