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JAN2N3762L

产品描述Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小93KB,共2页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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JAN2N3762L概述

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

JAN2N3762L规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/396
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Data Sheet No. 2N3762L
Type 2N3762L
Geometry 6706
Polarity PNP
Qual Level: JAN - JANTXV
Features:
General-purpose transistor for
switching and amplifier applica-
tons.
Housed in a
TO-5
case.
Also available in chip form using
the 6706 chip geometry.
The Min and Max limits shown are
per
MIL-PRF-19500/396
which
Semicoa meets in all cases.
Generic Part Number:
2N3762L
REF: MIL-PRF-19500/396
TO-5
Maximum Ratings
T
C
= 25 C unless otherwise specified
o
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current, Continuous
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
T
STG
Rating
40
40
5.0
1.5
-55 to +200
-55 to +200
Unit
V
V
V
mA
o
C
C
o

JAN2N3762L相似产品对比

JAN2N3762L JANTXV2N3762L JANTX2N3762L 2N3762L
描述 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-5
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 35 35 35 30
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V -
参考标准 MIL-19500/396 MIL-19500/396 MIL-19500/396 -
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