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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFR15N20DTR
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IRFR15N20DTR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小224KB，共11页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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IRFR15N20DTR概述

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

IRFR15N20DTR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码TO-252AA
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）260 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)17 A
最大漏源导通电阻0.165 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)68 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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PD - 95355A
SMPS MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
l
Lead-Free
Benefits
l
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
HEXFET
®
Power MOSFET
IRFR15N20DPbF
IRFU15N20DPbF
I
D
17A
V
DSS
200V
R
DS(on)
max
0.165Ω
D-Pak
IRFR15N20D
I-Pak
IRFU15N20D
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Power Dissipation*
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
17
12
68
140
3.0
0.96
± 30
8.3
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
θJC
R
θJA
R
θJA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
Typ.
–––
–––
–––
Max.
1.04
50
110
Units
°C/W
Notes

through
…
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www.irf.com
1
1/17/05

IRFR15N20DTR相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 mosfet N-CH 200v 17a dpak Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3/2
是否Rohs认证 不符合 - 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） - International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 TO-252AA - TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 - 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级（Eas） 260 mJ - 260 mJ 260 mJ 260 mJ 260 mJ 260 mJ
外壳连接 DRAIN - DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V - 200 V 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 17 A - 17 A 17 A 17 A 17 A 17 A
最大漏源导通电阻 0.165 Ω - 0.165 Ω 0.165 Ω 0.165 Ω 0.165 Ω 0.165 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA - TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 - e3 e3 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 - 1 1 1 1 1
元件数量 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 2 - 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - 260 260 245 245 245
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 68 A - 68 A 68 A 68 A 68 A 68 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES - YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD - MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - 30 30 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 - 1 1 1 1 1
最大漏极电流 (Abs) (ID) - - 17 A 17 A 17 A 17 A -
最高工作温度 - - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C -
最大功率耗散 (Abs) - - 140 W 140 W 140 W 140 W -

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