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BF995B-GS18

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小176KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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BF995B-GS18概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-4

BF995B-GS18规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)0.03 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BF995B-GS18相似产品对比

BF995B-GS18 BF995A-GS18
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-4
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 0.03 A 0.03 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
工作模式 DUAL GATE, DEPLETION MODE DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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