64/256/512/1K/2K/4K/8K x 9 synchronous fifos
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 8 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz |
| 周期时间 | 10 ns |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 36864 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.55 mm |
| 最大待机电流 | 0.03 A |
| 最大压摆率 | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CY7C4241-10JC | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 64/256/512/1K/2K/4K/8K x 9 synchronous fifos | ||||||||
| 是否Rohs认证 | 不符合 | ||||||||
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | ||||||||
| 零件包装代码 | QFJ | ||||||||
| 包装说明 | PLASTIC, LCC-32 | ||||||||
| 针数 | 32 | ||||||||
| Reach Compliance Code | not_compliant | ||||||||
| ECCN代码 | EAR99 | ||||||||
| 最长访问时间 | 8 ns | ||||||||
| 最大时钟频率 (fCLK) | 100 MHz | ||||||||
| 周期时间 | 10 ns | ||||||||
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J32 | ||||||||
| JESD-609代码 | e0 | ||||||||
| 长度 | 13.97 mm | ||||||||
| 内存密度 | 36864 bit | ||||||||
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | ||||||||
| 内存宽度 | 9 | ||||||||
| 功能数量 | 1 | ||||||||
| 端子数量 | 32 | ||||||||
| 字数 | 4096 words | ||||||||
| 字数代码 | 4000 | ||||||||
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | ||||||||
| 最高工作温度 | 70 °C | ||||||||
| 组织 | 4KX9 | ||||||||
| 输出特性 | 3-STATE | ||||||||
| 可输出 | YES | ||||||||
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | ||||||||
| 封装代码 | QCCJ | ||||||||
| 封装等效代码 | LDCC32,.5X.6 | ||||||||
| 封装形状 | RECTANGULAR | ||||||||
| 封装形式 | CHIP CARRIER | ||||||||
| 并行/串行 | PARALLEL | ||||||||
| 峰值回流温度（摄氏度） | 225 | ||||||||
| 电源 | 5 V | ||||||||
| 认证状态 | Not Qualified | ||||||||
| 座面最大高度 | 3.55 mm | ||||||||
| 最大待机电流 | 0.03 A | ||||||||
| 最大压摆率 | 0.15 mA | ||||||||
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | ||||||||
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | ||||||||
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | ||||||||
| 表面贴装 | YES | ||||||||
| 技术 | CMOS | ||||||||
| 温度等级 | COMMERCIAL | ||||||||
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | ||||||||
| 端子形式 | J BEND | ||||||||
| 端子节距 | 1.27 mm | ||||||||
| 端子位置 | QUAD | ||||||||
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | ||||||||
| 宽度 | 11.43 mm | ||||||||
| Base Number Matches | 1 |
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