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IRF7301TR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小236KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF7301TR概述

Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,

IRF7301TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级2
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF7301TR相似产品对比

IRF7301TR IRF7301TRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.2A 栅源极阈值电压:700mV @ 250uA 漏源导通电阻:50mΩ @ 2.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 双N沟道,20V,5.2A,0.05Ω@4.5V
是否Rohs认证 不符合 符合
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE ULTRA LOW RESISTANCE
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V 20 V
最大漏极电流 (ID) 4.3 A 5.2 A
最大漏源导通电阻 0.05 Ω 0.05 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MS-012AA MS-012AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
湿度敏感等级 2 1
元件数量 2 2
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1

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