RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-254AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 14 A |
最大漏源导通电阻 | 0.33 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA |
JESD-30 代码 | S-CSFM-P3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/662 |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
JANSF2N7423 | IRHM9250 | IRHM93250 | JANSR2N7423 | |
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描述 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 500 mJ | 500 mJ | 500 mJ | 500 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
最大漏极电流 (ID) | 14 A | 14 A | 14 A | 14 A |
最大漏源导通电阻 | 0.33 Ω | 0.33 Ω | 0.33 Ω | 0.33 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
JESD-30 代码 | S-CSFM-P3 | S-CSFM-P3 | S-CSFM-P3 | S-CSFM-P3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A | 56 A | 56 A | 56 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
JESD-609代码 | - | e0 | e0 | e0 |
端子面层 | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD |
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