IRHM93250,IRHM93250 pdf中文资料,IRHM93250引脚图,IRHM93250电路-Datasheet-电子工程世界

IRHM93250: 产品描述RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小121KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRHM93250概述

RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)

IRHM93250规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	14 A
最大漏极电流 (ID)	14 A
最大漏源导通电阻	0.33 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	153 ns
最大开启时间（吨）	96 ns

IRHM93250相似产品对比

	IRHM93250	IRHM9250	JANSF2N7423	JANSR2N7423
描述	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)	RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA)
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
包装说明	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3	FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compli	compli	unknow	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	500 mJ	500 mJ	500 mJ	500 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V	200 V
最大漏极电流 (ID)	14 A	14 A	14 A	14 A
最大漏源导通电阻	0.33 Ω	0.33 Ω	0.33 Ω	0.33 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3	S-CSFM-P3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A	56 A	56 A	56 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
JESD-609代码	e0	e0	-	e0
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	TIN LEAD

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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