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DS2400Y

产品描述Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO4,
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文件大小210KB,共6页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2400Y概述

Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO4,

DS2400Y规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
内存密度64 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度1
功能数量1
端子数量4
字数64 words
字数代码64
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64X1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SOT-223
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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DS2400Y相似产品对比

DS2400Y DS2400 TSW-217-23-T-D DS2400T
描述 Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO4, Memory Circuit, 64X1, CMOS, PBCY3, Board Connector, 34 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.2 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator Memory Circuit, 64X1, CMOS, PBCY3,
Reach Compliance Code unknown unknown compliant unknown
最高工作温度 85 °C 85 °C 105 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -55 °C -40 °C
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 不符合
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 O-PBCY-W3 - O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 - e0
内存密度 64 bit 64 bit - 64 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT - MEMORY CIRCUIT
内存宽度 1 1 - 1
功能数量 1 1 - 1
端子数量 4 3 - 3
字数 64 words 64 words - 64 words
字数代码 64 64 - 64
组织 64X1 64X1 - 64X1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 SOT-223 SIP3,.1,50 - SIP3,.1,50
封装形状 RECTANGULAR ROUND - ROUND
封装形式 SMALL OUTLINE CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V - 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 YES NO - NO
技术 CMOS CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING WIRE - WIRE
端子位置 DUAL BOTTOM - BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
Base Number Matches 1 1 - 1
端子节距 - 1.27 mm 5.08 mm 1.27 mm

 
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