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DS2400T

产品描述Memory Circuit, 64X1, CMOS, PBCY3,
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文件大小210KB,共6页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS2400T概述

Memory Circuit, 64X1, CMOS, PBCY3,

DS2400T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
内存密度64 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度1
功能数量1
端子数量3
字数64 words
字数代码64
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64X1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SIP3,.1,50
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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DS2400T相似产品对比

DS2400T DS2400Y DS2400 TSW-217-23-T-D
描述 Memory Circuit, 64X1, CMOS, PBCY3, Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO4, Memory Circuit, 64X1, CMOS, PBCY3, Board Connector, 34 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.2 inch Pitch, Solder Terminal, Black Insulator
Reach Compliance Code unknown unknown unknown compliant
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 105 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 R-PDSO-G4 O-PBCY-W3 -
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
内存密度 64 bit 64 bit 64 bit -
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT -
内存宽度 1 1 1 -
功能数量 1 1 1 -
端子数量 3 4 3 -
字数 64 words 64 words 64 words -
字数代码 64 64 64 -
组织 64X1 64X1 64X1 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装等效代码 SIP3,.1,50 SOT-223 SIP3,.1,50 -
封装形状 ROUND RECTANGULAR ROUND -
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE CYLINDRICAL -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V 5 V 5 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V -
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 NO YES NO -
技术 CMOS CMOS CMOS -
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 WIRE GULL WING WIRE -
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 5.08 mm
端子位置 BOTTOM DUAL BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
Base Number Matches 1 1 1 -

 
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