Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> IR180LM06CS02

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IR180LM06CS02: 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小16KB，共3页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IR180LM06CS02概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER

IR180LM06CS02规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	S-XUUC-N1
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
应用	FAST RECOVERY
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	S-XUUC-N1
JESD-609代码	e0
元件数量	1
相数	1
端子数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	0.2 µs
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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Bulletin I0124J 07/97

IR180LM..CS02CB SERIES

FAST RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

RRM

Class:

Passivation Process:

Square 180 mils

200 to 600 V

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part:

20ETF Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

RRM

Maximum Forward Voltage

Reverse Breakdown Voltage Range

Units

1300 mV

200 to 600 V

Test Conditions

= 25°C, I

= 20 A

= 25°C, I

RRM

= 100 µA

(1)

Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20 µm)

180 x 180 mils (4.57x4.57 mm) - see drawing

100 mm, with std. < 110 > flat

260 µm

45 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR180LM06CS02相似产品对比

	IR180LM06CS02	IR180LM06CS02CB	IR180LM02CS02CB	IR180LM04CS02	IR180LM04CS02CB	IR180LM02CS02
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 400V V(RRM), Silicon, WAFER	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 200V V(RRM), Silicon, WAFER
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER	WAFER	WAFER	WAFER	WAFER	WAFER
包装说明	S-XUUC-N1	O-XUUC-N	O-XUUC-N	S-XUUC-N1	O-XUUC-N	S-XUUC-N1
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码	S-XUUC-N1	O-XUUC-N	O-XUUC-N	S-XUUC-N1	O-XUUC-N	S-XUUC-N1
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1
相数	1	1	1	1	1	1
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE	ROUND	ROUND	SQUARE	ROUND	SQUARE
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V	600 V	200 V	400 V	400 V	200 V
最大反向恢复时间	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs	0.2 µs
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
是否无铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅

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